[发明专利]Micro-LED芯片的制备方法、结构及显示终端

说明书

本发明公开了一种Micro‑LED芯片的制备方法、结构及显示设备，其中，所述Micro‑LED芯片的制备方法包括以下步骤：在真空设备中制备一GaN基外延片；在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层；对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击；将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极，制成Micro‑LED芯片。本发明技术方案旨在降低Micro‑LED芯片周缘漏电的几率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的制备方法、结构及显示终端。

背景技术

Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)在显示行业具有较大的应用前景，可制备大尺寸、超高清、节能以及具有优质的画面显示效果的显示屏。Micro-LED芯片通常是在蓝宝石上沉积GaN材料形成N型层及P型层，其中n-GaN材料的载流子浓度相对较高，相比之下p-GaN材料的载流子浓度相对较低，因此，掺杂了空穴的P-GaN材料的导电能力相对较弱，为提升P型层的导电性，需要在P型层上添加一层透明导电薄膜，通常为氧化铟嫁(ITO)。由于Micro-LED芯片尺寸较小，通常会低于40μm，因此在芯片的侧边容易产生漏电流，侧边悬空键会导致非辐射复合，电流拥堵效应和热效应变弱，降低Microled芯片的发光效率。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种Micro-LED芯片的制备方法，旨在改善Micro-LED芯片易发生漏电现象且发光效率低的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供的Micro-LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

在真空设备中制备一GaN基外延片；

在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层；

对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击；

将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极，制成所述Micro-LED芯片。

可选地，所述对所述ITO层的周缘进行遮挡的步骤具体包括：

使用一中间镂空的遮挡板对所述ITO层进行遮挡，所述遮挡板的外周缘与所述ITO层的外周缘相重合。

可选地，所述遮挡板于其中间部分形成有镂空孔，所述镂空孔的孔内壁至所述遮挡板的外周缘的距离范围为2～6微米。

可选地，所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤包括：

向所述真空设备充入氧气；

将所述真空设备内的氧气电离成氧离子；

加速所述氧离子使其轰击所述ITO层。

可选地，所述在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层的步骤之前，还包括：

获取所述ITO层的预设沉积厚度；

根据一修正值调整所述预设沉积厚度形成新的沉积厚度。

可选地，所述修正值为所述预设沉积厚度的8％-12％。

可选地，所述在真空设备中制备一GaN基外延片的步骤包括：

在一衬底上依次沉积形成过渡层、N型层、有源层及P型层；

完成GaN基外延片的制备。

可选地，所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤之后，所述将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极的步骤之前，还包括：

对所述GaN基外延片和轰击后的ITO层进行退火处理。