[发明专利]陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法

权利要求书

1.一种陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供陶瓷劈刀半成品，所述陶瓷劈刀半成品具有倒角；及

对所述陶瓷劈刀半成品的倒角外的区域进行激光处理，以在所述陶瓷劈刀半成品的倒角外的区域形成若干间隔排列的凹槽和凸起，相邻所述凹槽和所述凸起的间距为1μm～3μm，相邻所述凹槽的间距为3μm～12μm，得到陶瓷劈刀。

2.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述对所述陶瓷劈刀半成品的倒角外的区域进行激光处理的步骤中，采用拍摄定位装置对所述陶瓷劈刀半成品的表面进行定位识别，以使所述陶瓷劈刀半成品的倒角区域不进行激光处理。

3.根据权利要求2所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述采用拍摄定位装置对所述陶瓷劈刀半成品的表面进行识别的步骤中，识别区域的尺寸小于300μm，且识别区域的尺寸与倒角的直径的差值不超过5μm。

4.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光处理的过程中，激光频率为200Hz～400Hz，波长为300nm～700nm，能量转换功率为10％～15％，相邻凹槽间距为3μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光处理的过程中，激光频率为200Hz～400Hz，波长为300nm～700nm，能量转换功率为15％～20％，相邻凹槽间距为5μm～7μm。

6.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的制作方法，其特征在于，所述激光处理的过程中，激光频率为200Hz～400Hz，波长为300nm～700nm，能量转换功率为25％～40％，相邻凹槽间距为7μm～8μm。

7.一种陶瓷劈刀，其特征在于，由权利要求1～6任一项所述的陶瓷劈刀的制作方法制作得到。

8.根据权利要求7所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm～3.00μm。

9.根据权利要求8所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm～0.05μm；或者，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.08μm～0.20μm；或者，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.8μm～1.5μm。

10.一种半导体封装方法，其特征在于，包括如下步骤：使用陶瓷劈刀和焊线将芯片与封装框架焊接，以使所述芯片与所述封装框架电气导通，其中，所述陶瓷劈刀为权利要求7～9任一项所述的陶瓷劈刀，所述焊线为金线、合金线或铜线。