[发明专利]利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法有效
| 申请号： | 202010402210.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111562723B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王岩;曲迪;黄翊东 | 申请（专利权）人： | 清华大学天津电子信息研究院 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01S5/12 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区中*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 曝光 制备 dfb ld 光栅 调试 样片 方法 | ||
1.一种利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、在晶片上涂覆电子束胶；
步骤二、将所述晶片进行前烘；
步骤三、利用版图设计工具绘制DFB-LD光栅调试版图；基于目标DFB-LD光栅调试版图，在保持芯片单元与目标DFB-LD光栅版图一致的前提下，DFB-LD光栅调试版图在平行光栅方向上与目标DFB-LD光栅版图一致，垂直光栅方向上芯片单元间光栅为阶梯状排列，阶梯横向交错方向一致，交错间隔等于光栅沿栅线方向长度；所述芯片单元为DFB-LD光栅调试版图的最小单元；
步骤四、对所述晶片依次进行电子束曝光、显定影和坚膜。
2.根据权利要求1所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述晶片为InP基或GaAs基外延片。
3.根据权利要求1或2所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述电子束胶为抗干法刻蚀的电子束正胶或者电子束负胶。
4.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述版图设计工具为GDSⅡ或L-Edit。
5.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述DFB-LD光栅调试版图的芯片单元与目标DFB-LD光栅版图一致。
6.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述DFB-LD光栅调试版图的芯片单元长度为200-300μm，宽度为100-300μm。
7.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述DFB-LD光栅调试版图的芯片单元分为光栅区和无光栅区两部分，其中光栅区长度为10-20μm，宽度为50-290μm，光栅方向沿芯片单元长度方向，光栅周期为100-400nm，占宽比为0.25-0.75。
8.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，所述电子束曝光的加速电压为10-100kV。
9.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，当所述电子束胶为Zep520A时，对应的显定影条件为显影对二甲苯60s，定影异丙醇30s。
10.根据权利要求3所述的利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，其特征在于，当所述电子束胶为Zep520A时，对应的坚膜条件为热板120℃，坚膜时间为20min。
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