[发明专利]一种V波段吸波粉体的制备方法有效
| 申请号： | 202010402225.5 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111534279B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 贾琨;刘伟;王喆;王蓬;王东红;马晨;李静;王权 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十三研究所 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 030032 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波段 吸波粉体 制备 方法 | ||
1.一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：
将质量比为5：1~15：1羰基铁粉和膨胀石墨混合，使膨胀石墨包覆在羰基铁表面，得到一道混合粉体，对该一道混合粉体进行高温反应和退火处理；所述退火处理的温度650℃~750℃、时间2~3h；
将质量比为5：1~15：1碳化硅粉和氟化石墨烯混合，使氟化石墨烯包覆在球状碳化硅表面，得到二道混合粉体；
将经过高温反应和退火处理后的一道混合粉体与二道混合粉体进行混合，一道混合粉体与二道混合粉体按照质量比为3：1~1：1进行混合；得到V波段吸波粉体。
2.根据权利要求1所述的一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：对羰基铁粉体、碳化硅粉体进行预处理，除去残留在粉体表面的活性剂和吸附水。
3.根据权利要求2所述的一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：所述预处理为：通过低温烧灼、溶剂清洗的方式来除去表面杂质，然后进行干燥处理。
4.根据权利要求1所述的一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：将质量比为5：1~15：1的羰基铁和膨胀石墨通过行星球磨机混合。
5.根据权利要求1所述的一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：将质量比为5：1~15：1的碳化硅和氟化石墨烯通过行星球磨机混合。
6.根据权利要求1所述的一种V波段吸波粉体的制备方法，其特征在于：将得到的V波段吸波粉体进行高温干燥处理；所述高温干燥处理为：将粉体放入干燥箱，缓慢加热至120℃~140℃，持续保温一段时间1-3h后，在干燥环境中冷却至室温。
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