[发明专利]一种宽带低噪声高功率容限的准环形器

权利要求书

1.一种宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，包括：双向同相级电路、非互易反相级电路和宽带180°混合网络，所述宽带180°混合网络设置有求和端口、求差端口、第一输入端口和第二输入端口，所述求和端口与准环形器的发射端电连接，所述求差端口与所述准环形器的接收端电连接，所述第一输入端口与所述双向同相级电路的第一端电连接，所述第二输入端口与所述非互易反相级电路的第一端电连接，所述双向同相级电路的第二端和所述非互易反相级电路的第二端均与天线电连接，所述非互易反相级电路第一端与所述第二输入端口之间设置有阻抗平衡电阻，所述阻抗平衡电阻的第一端分别与所述非互易反相级电路第一端与所述第二输入端口电连接，所述阻抗平衡电阻的第二端接地；

准环形器设置有外加电源，所述外加电源用于当所述双向同相级电路和非互易反相级电路接收的分配信号不相等时，用于为能量低的信号提供额外能量；

信号从180°混合网络的第一输入端口和第二输入端口进入时，它们的和将在求和端口形成，而在求差端口处形成它们的差，最后在求和端口处形成差模信号的和，而在求差端口处形成差模信号的差；来自天线端口的信号在发射端口被消除，实现了天线端到发射端的单向隔离_。

2.根据权利要求1所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述宽带180°混合网络为多层微带-槽线耦合结构的宽带180°混合网络，共栅级电路作为双向同相级电路，共源级电路作为非互易反相级电路。

3.根据权利要求2所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，在所述多层微带-槽线耦合结构的宽带180°混合网络中所述求和端口、所述第一输入端口和所述第二输入端口位于结构的顶层，所述求差端口位于结构的底层，顶层与底层之间为接地层，所述接地层上刻蚀有槽线。

4.根据权利要求2所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述共栅级电路包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感和第一MOS管，所述第一电容的第一端与天线电连接，所述第一电容的第二端分别与所述第一电感的第一端和所述第一MOS管的源极电连接，所述第一电感的第二端接地，所述第一MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与第一内部电源电连接，所述第一MOS管的漏极分别与所述第二电感的第一端和所述第二电容的第一端接地，所述第二电容的第二端与所述第一输入端口电连接，所述第二电阻的两端分别与所述第二电感的第二端和第二内部电源电连接。

5.根据权利要求2所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述共源级电路包括：第三电容、第四电容、第三电阻、第四电阻、第二MOS管和第三电感，所述第三电容的第一端与天线电连接，所述第三电容的第二端分别与所述第三电阻的第一端和所述第二MOS管的栅极电连接，所述第三电阻的第二端与第三内部电源电连接，所述第二MOS管的源极与所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端接地；所述第二MOS管的漏极分别与所述第三电感的第一端和所述第四电容的第一端电连接，所述第三电感的第二端与第四内部电源电连接，所述第四电容的第二端与所述第二输入端口电连接。

6.根据权利要求4或5所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述MOS管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述求差端口设置有第五电容，所述第五电容的第一端与所述求差端口电连接，所述第五电容的第二端接地。

8.根据权利要求4或5所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，电路中电阻为可变电阻，电容为可变电容。

9.根据权利要求1所述的宽带低噪声高功率容限的准环形器，其特征在于，所述阻抗平衡电阻为可变电阻。