[发明专利]量子点图形结构、量子点的图形化方法和显示装置有效
申请号: | 202010402953.6 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111554820B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 张爱迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K71/00;H10K59/10;H10K85/10 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;李红标 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 图形 结构 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种量子点图形结构、量子点的图形化方法和显示装置,量子点图形结构包括:基板,基板的表面具有金属离子;化合物层,设置于基板上,化合物层中包括络合剂和组氨酸,络合剂和组氨酸分别与金属离子螯合;量子点图形,设置于化合物层远离基板的一侧,量子点图形中的量子点与组氨酸连接,基板上具有多个亚像素区域,每个亚像素区域内分别设有量子点图形。在本发明的量子点图形结构中,通过化合物层中的组氨酸吸附量子点,使量子点不易脱落,减少量子点表面的缺陷,提高化合物层与量子点之间连接的稳定性,提高量子点的荧光性能,提高器件效率,在量子点图形的形成过程中,避免由于光刻工艺导致的量子点膜层或量子点的表面配体损坏。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种量子点图形结构、量子点的图形化方法和显示装置。
背景技术
在通过光刻技术实现量子点图形化过程中,会对量子点的表面配体具有严重的破坏,易导致量子点配体脱落,使量子点的表面缺陷位点暴露,使得量子点的荧光性能下降,破坏发光层中的量子点膜层或量子点的表面配体,导致器件效率降低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种量子点图形结构、量子点的图形化方法和显示装置,用以解决在量子点图形化过程中,量子点和量子点的表面配体容易受到破坏,易导致量子点配体脱落,使量子点的表面缺陷位点暴露,导致量子点的荧光性能下降,器件效率降低的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
第一方面,根据本发明实施例的量子点图形结构,包括:
基板,所述基板的表面具有金属离子;
化合物层,设置于所述基板上,所述化合物层中包括络合剂和组氨酸,所述络合剂和所述组氨酸分别与所述金属离子螯合;
量子点图形,设置于所述化合物层远离所述基板的一侧,所述量子点图形中的量子点与所述组氨酸连接,所述基板上具有多个亚像素区域,每个所述亚像素区域内分别设有所述量子点图形。
其中,所述络合剂包括氮川三乙酸和亚氨基乙二酸中的至少一种,所述金属离子包括镍离子。
其中,至少两个所述亚像素区域内的所述量子点图形中的量子点不同。
其中,所述量子点图形包括第一量子点图形、第二量子点图形和第三量子点图形,所述亚像素区域包括第一亚像素区域、第二亚像素区域和第三亚像素区域,所述第一量子点与位于第一亚像素区域内的所述组氨酸连接,所述第二量子点与位于第二亚像素区域内的所述组氨酸连接,所述第三量子点与位于第三亚像素区域内的所述组氨酸连接,所述第一量子点、所述第二量子点与所述第三量子点不同。
第二方面,根据本发明实施例的量子点的图形化方法,包括:
提供表面具有金属离子的基板;
在所述基板上形成化合物层,所述化合物层中包括络合剂和组氨酸,所述络合剂和所述组氨酸分别与所述金属离子螯合;
形成量子点图形,所述量子点图形设置于所述化合物层远离所述基板的一侧,所述量子点图形中的量子点与所述组氨酸连接,所述基板上具有多个亚像素区域,每个所述亚像素区域内分别形成有所述量子点图形。
其中,所述络合剂包括氮川三乙酸和亚氨基乙二酸中的至少一种,所述金属离子包括镍离子。
其中,至少两个所述亚像素区域内的所述量子点图形中的量子点不同。
其中,所述化合物层包括第一化合物层,所述亚像素区域包括第一亚像素区域,形成化合物层的步骤包括:
将基板置于络合剂溶液中以使所述金属离子与所述络合剂形成第一螯合物层;
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