[发明专利]显示面板及其制作方法、显示终端有效
申请号: | 202010402985.6 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111584507B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 终端 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,设置于所述衬底基板上,包括阵列排布的多个薄膜晶体管以及多条信号走线;
导电电极层,设置于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧上,包括图案化的多个导电电极,所述导电电极分别连接所述薄膜晶体管和所述信号走线;
像素定义层,设置于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧上并覆盖所述导电电极层,所述像素定义层上设有阵列排布的多个凹槽,所述凹槽暴露出部分所述导电电极;以及
多个发光器件,所述发光器件分别粘附于相邻两个所述凹槽之间的所述像素定义层上,所述发光器件与相邻两个所述凹槽之间各形成一微腔结构,所述发光器件通过填充至所述微腔结构内的导电材料与所述导电电极绑定连接;
其中,所述发光器件与所述导电电极绑定连接的制备方法包括:在所述像素定义层未完全固化前,将多个所述发光器件转移至相邻两个所述凹槽之间的所述像素定义层上,所述发光器件与相邻两个所述凹槽之间各形成一所述微腔结构;在所述凹槽内填充所述导电材料,并对所述导电材料进行预固化,以使所述发光器件通过所述导电材料与所述导电电极电性连接;对转移至所述像素定义层上的所述发光器件进行点灯测试,并对异常点进行修复,修复完成后对所述像素定义层和所述导电材料再次进行固化。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件在所述衬底基板所在平面的正投影区域的两侧均位于相邻两个所述凹槽在所述衬底基板所在平面的正投影区域内。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层中粘附有所述发光器件的部分的高度小于未粘附有所述发光器件的部分的高度。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽在所述像素定义层所在平面的开口形状包括矩形、圆形或者回形。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽在所述像素定义层所在平面的开口形状为回形,所述凹槽中设有支撑柱,所述发光器件靠近所述衬底基板的一侧粘附于所述支撑柱上。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述支撑柱的高度与粘附有所述发光器件的所述像素定义层的高度相同,且所述发光器件在所述衬底基板所在平面的正投影区域覆盖所述支撑柱在所述衬底基板所在平面的正投影区域。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件为mini LED芯片或者为micro LED芯片。
8.一种显示终端,其特征在于,包括终端主体和如权利要求1至7中任一项所述的显示面板,所述显示面板设置于所述终端主体上。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板,在所述衬底基板上形成层叠设置的薄膜晶体管阵列层和导电电极层,所述导电电极层包括图案化的多个导电电极;
在所述薄膜晶体管阵列层上涂布有机光阻材料,刻蚀所述有机光阻材料形成像素定义层以及间隔排布的多个暴露出部分所述导电电极的凹槽;
在所述像素定义层未完全固化之前,将多个发光器件转移至相邻两个所述凹槽之间的像素定义层上,所述发光器件与相邻两个所述凹槽之间各形成一微腔结构;
在所述凹槽内填充导电材料,并对所述导电材料进行预固化,以使所述发光器件通过所述导电材料与所述导电电极电性连接;
对转移至所述像素定义层上的所述发光器件进行点灯测试,并对异常点进行修复,修复完成后对所述像素定义层和所述导电材料再次进行固化;以及
在所述像素定义层上形成覆盖所述发光器件的封装层。
10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述导电材料包括纳米导电银浆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010402985.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的