[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

一种存储器及其形成方法，存储器包括：基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；位于所述浮栅区上的浮栅极结构；位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。所述存储器的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中，近年来快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。

然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种存储器及其形成方法，以提高存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种存储器，包括：基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；位于所述浮栅区上的浮栅极结构；位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。

可选的，还包括：位于擦除区上的擦除栅极结构，所述擦除栅极结构位于相邻浮栅极结构之间。

可选的，还包括：位于擦除区内的源区；分别位于所述浮栅极结构、控制栅结构和字线栅结构两侧的基底内的漏区。

可选的，还包括：位于所述控制栅结构表面的第二侧墙。

可选的，还包括：位于所述第二侧墙和控制栅结构侧壁表面的第三侧墙，且所述第三侧墙和控制栅结构暴露出部分浮栅极结构顶部表面。

可选的，所述控制栅结构包括：控制栅介质层和位于控制栅介质层表面的控制栅极层；所述控制栅介质层包括：氧化层、位于氧化层表面的氮化层和位于氮化层表面的氧化层；所述控制栅极层的材料包括：多晶硅。

可选的，所述浮栅极结构包括：浮栅介质层和位于浮栅介质层表面的浮栅电极层；所述浮栅介质层的材料包括：氧化硅；所述浮栅电极层的材料包括：多晶硅。

相应的，本发明技术方案还提供一种存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；在所述擦除区和浮栅区上形成浮栅材料膜；在所述浮栅区上的浮栅材料膜表面形成控制栅结构，暴露出擦除区上的浮栅材料膜；刻蚀所述浮栅材料膜，直至暴露出基底表面，在所述浮栅区上形成浮栅极结构，所述浮栅极结构侧壁包括相对的第一侧和第二侧，且所述第一侧与浮栅区相邻；在所述浮栅极结构第一侧的侧壁表面形成第一侧墙；在所述控制栅结构和第一侧墙侧壁表面形成字线栅结构，且所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触。

可选的，还包括：形成所述浮栅材料膜之后，形成所述控制栅结构之前，在所述浮栅材料膜表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有掩膜开口，且所述掩膜开口暴露出擦除区和浮栅区上的浮栅材料膜表面。