[发明专利]一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法在审
| 申请号： | 202010403729.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111584719A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 苏言杰;刘丕均;叶显柱 | 申请（专利权）人： | 南京晶碳纳米科技有限公司;南京微米电子产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人： | 窦贤宇 |
| 地址： | 210043 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 砷化镓异质结宽 光谱 超薄 太阳能电池 及其 构筑 方法 | ||
1.一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，采用N型掺杂砷化镓制成；
下电极，位于所述基底的底部；
绝缘层，位于基底上部且中间开有窗口；
碳纳米管薄膜，位于绝缘层或绝缘层窗口内与所述基底直接接触，形成碳纳米管/砷化镓异质结；
图形化上电极，位于所述绝缘层表面碳纳米管薄膜上。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述下电极为金电极。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电，其特征在于，所述基底厚度为50～500nm。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述绝缘层为Si3N4、Al2O3或SiO2。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述碳纳米管薄膜由半导体性单壁碳纳米管组成，且绝缘窗口内碳纳米管与N型砷化镓直接接触，其余部分在绝缘层表面。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜通过旋涂法、抽滤法或静电自组装法获得，所述碳纳米管薄膜厚度为5～50nm。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池，所述的上电极为银电极，且银电极与绝缘层表面的碳纳米管薄膜接触。
8.一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池的构筑方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、以N型掺杂砷化镓半导体为基底，背面蒸镀金电极，在掺杂砷化镓基底上采用原子层溅射沉积的方法生长带窗口的绝缘层；
步骤二、采用抽滤的方法制备碳纳米管薄膜；
步骤三、将碳纳米管薄膜转移到砷化镓基底上，点上图形化的银胶并烘干作为上电极；即得到宽光谱超薄太阳能电池。
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