[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202010404362.2 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111554715A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 温梦阳;王纯阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 陈蕾 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:基底与平坦化层,所述平坦化层远离所述基底的一侧具有若干阵列式排布的像素结构,所述像素结构包括:第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层;所述平坦化层与所述像素结构之间具有多个占位凸起,以使得所述像素结构凹凸不平。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述各个占位凸起的形状与尺寸相同;和/或所述各个占位凸起呈散落状分布、条状分布或网格状分布。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述占位凸起的材料为绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述占位凸起的各处厚度一致;或所述占位凸起的中间区域厚、边缘区域薄。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述占位凸起的截面呈矩形、梯形或半圆形。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极靠近所述基底,所述第二电极远离所述基底;所述显示面板为底发光结构,所述第一电极为透光阳极,所述第二电极为反光阴极;或所述显示面板为顶发光结构,所述第一电极为反光阳极,所述第二电极为透光阴极。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素结构的发光方式为主动驱动发光方式,所述基底与所述平坦化层之间设置有像素驱动电路。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底的表面设置有平坦化层,所述平坦化层的表面具有若干阵列式排布的像素发光区;
在每一所述像素发光区形成隔离柱;
沉积占位材料层,所述占位材料层被所述隔离柱隔断形成多个占位凸起;
去除所述隔离柱,以暴露所述平坦化层;
在所述平坦化层与所述占位凸起远离所述基底的一侧形成像素结构,所述像素结构包括:第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层,所述像素结构凹凸不平。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述隔离柱呈网格状分布,所述被隔断形成的占位凸起呈散落状分布;或所述隔离柱呈条分布,所述被隔断形成的占位凸起呈条状分布;或所述隔离柱呈散落状分布,所述被隔断形成的占位凸起呈网格状分布。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述隔离柱的截面呈倒梯形或T字形;和/或
所述隔离柱的材料包括热分离材料,采用加热去除所述隔离柱;或所述隔离柱的材料包括UV分离材料,采用紫外光照射去除所述隔离柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的