[发明专利]钴基Heusler合金结构及提升其有序化的制备方法

权利要求书

1.一种提升钴基Heusler合金结构有序化的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

样品基板清洗；

低蒸汽压元素与钴基Heusler合金进行共溅射成膜，使用钴基Heusler合金靶材和低蒸汽压元素单质靶材，利用共聚焦磁控溅射的方法，在样品基板上制备低蒸汽压元素掺杂后的钴基Heusler合金薄膜材料，其中，所述低蒸汽 压元素为锌元素，所述钴基Heusler合金薄膜材料为Co₂FeGa_0.5Ge_0.5；

高真空退火处理，其中，所述高真空退火处理的步骤中，制备所得的薄膜材料在真空度为10^-7Pa的超高真空溅射腔室中进行600摄氏度的退火处理，退火时间为30分钟。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述样品基板清洗的步骤中，样品基板依次使用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗各3-10分钟，超声清洗结束后将样品基板放入磁控溅射仪的真空腔室进行500-800摄氏度的热清洗。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜材料的性能以及低蒸汽压元素的掺杂浓度通过磁控溅射过程中的溅射时间、溅射温度、溅射功率、电源类型、工艺气体气压、流速、阻隔网网孔大小和靶材-样品距离参数进行调控。

4.一种根据权利要求1-3任一所述的制备方法进行制备的钴基Heusler合金薄膜材料。

5.根据权利要求4所述的钴基Heusler合金薄膜材料，其特征在于，所述钴基Heusler合金薄膜材料能够用于自旋电子器件的制备，用于提高硬盘磁头、磁性随机存储器、磁传感器或自旋逻辑电路产品的性能。