[发明专利]太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法有效
申请号: | 202010405563.4 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111477560B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 马新星;姚亮;王艺澄 | 申请(专利权)人: | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 掺杂 单晶硅 区分 快速 检测 方法 | ||
本发明公开了一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法,包括以下步骤:采用检测仪器在单晶硅棒上选取两个不同位置的电阻率进行检测,通过将这两个检测点电阻率差值与检测点之间的距离度的比值进行硅棒类型确认;本发明该检测方法能快速区分晶棒,节约时间,有效避免生产、检测、周转过程中操作失误而引起的硼掺杂晶棒与稼掺杂晶棒混淆的问题。
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法,属于光伏制造领域。
背景技术
目前光伏行业中的P型单晶硅生产过程中,根据客户的需要,需要在同一个工厂内进行掺硼与掺镓不同掺杂的单晶棒棒的生产,但从晶棒的外观很难对两种晶棒进行区分。如果区分错误会直接引起最终产品质量异常,回收料再利用时电阻率因掺杂不同而无法计算,最终影响新生产出晶棒的品质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法,该检测方法能快速区分晶棒,节约了时间,有效避免了生产、检测、周转过程中操作失误而引起的硼掺杂晶棒与稼掺杂晶棒混淆的问题。
为了解决以上技术问题,本发明提供一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法:在单晶硅棒上选取两个不同位置的检测点,采用检测仪器对检测点进行电阻率的检测,通过将这两个检测点电阻率差值与检测点之间的距离度的比值进行单晶硅棒类型确认,具体为:
当(高电阻-低电阻)/高、低电阻检测点之间的距离(单位cm)的比值在0.0025-0.0026之间时为掺镓单晶硅棒;
当(高电阻-低电阻)/高、低电阻检测点之间的距离(单位cm)的比值在0.0003-0.0008之间时为掺硼单晶硅棒。
本发明进一步限定的技术方案是:
进一步的,前述太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法中,检测仪器为四控针电阻检测仪。
本发明的有益效果是:
太阳能用P型掺杂单晶棒,掺杂浓度越高拉制出晶棒的电阻越低。又因掺杂剂在硅中的分凝系数影响,导致在RCZ法拉制过程中,掺杂剂在炉内硅液中的富积速度也不一样,故在硅棒的直径相同的条件下,电阻变化率也不相同。本发明通过计算模拟与生产过程检测,得出:掺镓单晶硅棒的电阻变化率为0.0025-0.0026Ω/cm之间;掺硼单晶硅棒的电阻变化率为0.0003-0.0008Ω/cm之间。
本发明该检测方法可以做为单晶硅棒快速区分的方法,节约了时间,每次检测只需要1-3分钟,每根晶棒只需要两个检测点即可确认该晶棒的掺杂类别,快速方便;
本发明该检测方法有效地避免了生产、检测、周转过程中操作失误而引起的硼掺杂晶棒与镓掺杂晶棒混淆的问题,保证最终产品的质量,为生产管道提供的一定的帮助。
附图说明
图1为本发明实施例镓、硼掺杂单晶硅棒长度电阻推移图;
图2为本发明实施例单晶硅棒长度电阻公式拟合推移图。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的一种太阳能电池用镓、硼掺杂单晶硅棒区分的快速检测方法,在单晶硅棒上选取两个不同位置的检测点,采用检测仪器对检测点进行电阻率的检测,通过将这两个检测点电阻率差值与检测点之间的距离度的比值进行单晶硅棒类型确认,具体为:
当(高电阻-低电阻)/高、低电阻检测点之间的距离(单位cm)的比值在0.0025-0.0026之间时为掺镓单晶硅棒;
当(高电阻-低电阻)/高、低电阻检测点之间的距离(单位cm)的比值在0.0003-0.0008之间时为掺硼单晶硅棒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造