[发明专利]一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺在审
| 申请号： | 202010405571.9 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111809233A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘立中;王艺澄;严东 | 申请（专利权）人： | 江苏高照新能源发展有限公司;包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 212200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 高效 铸造 多晶 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）装料时，在坩埚底部撒碎多晶，所述碎多晶上铺设装硅料原生多晶及单多晶回收料；
（2）采用铸造多晶炉，隔热笼关闭高温熔化完成，以TC2温度快速上升为标志
（3）熔化完成后，5-15分钟内隔热笼位置由0快速提至12-16cm，时间维持15-60分钟；
（4）熔化完成后，在晶体生长初期30-90分钟内缓慢降低隔热笼至6-12cm；
（5）在一定时间步长内逐步缓慢提升隔热笼统高度，在晶体生长中后期，逐渐升温，完成晶体生长过程；
（6）晶体生长完成后，经过退火、冷却两个阶段，将晶锭由炉内取出进行后续加工。
2.根据权利要求1所述的降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，其特征在于：步骤（1）中所述碎多晶的外形尺寸为3-15mm。
3.根据权利要求1所述的降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，其特征在于：步骤（2）中采用GT-450型铸造多晶炉。
4.根据权利要求1所述的降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，其特征在于：步骤（6）加工后的多晶晶锭下截断位置晶粒大小为3-5mm。
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