[发明专利]阵列基板、驱动方法以及液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：纵横交错的数据线和扫描线，以及由所述数据线和所述扫描线分隔成的多个像素单元，所述多个像素单元中的任一像素单元包括：主区像素电极、次区像素电极、用于连接所述主区像素电极与所述像素单元对应的第一扫描线的第一薄膜晶体管、用于连接所述次区像素电极与所述第一扫描线的第二薄膜晶体管；

所述主区像素电极以及所述次区像素电极中的一者与所述像素单元的相邻像素单元对应的第二扫描线存在重叠区域，所述重叠区域用于形成辅助电容，所述辅助电容用于在所述相邻像素单元存在信号变化时，对所述重叠区域对应的像素电极进行电位变化处理。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括以下至少一项：

所述主区像素电极以及所述次区像素电极中的一者在所述第二扫描线上的第一正投影图案，与所述第二扫描线存在重叠区域；

所述主区像素电极以及所述次区像素电极中的一者与导电结构连接，所述导电结构在所述第二扫描线上的第二正投影图案，与所述第二扫描线存在重叠区域。

3.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述主区像素电极为明像素电极；

所述主区像素电极与所述第二扫描线存在重叠区域，所述重叠区域形成的辅助电容用于在所述主区像素电极以及所述次区像素电极充电之前，基于所述相邻像素单元的下拉信号变化对所述主区像素电极进行电位下拉处理，以及，在所述主区像素电极以及所述次区像素电极充电之后，基于所述相邻像素单元的上拉信号变化对所述主区像素电极进行电位上拉处理。

4.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述次区像素电极为暗像素电极；

所述次区像素电极与所述第二扫描线存在重叠区域，所述重叠区域形成的辅助电容用于在所述主区像素电极以及所述次区像素电极充电之前，基于所述相邻像素单元的上拉信号变化对所述次区像素电极进行电位上拉处理，以及，在所述主区像素电极以及所述次区像素电极充电之后，基于所述相邻像素单元的下拉信号变化对所述次区像素电极进行电位下拉处理。

5.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区像素电极连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述当前像素单元对应的数据线连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次区像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述当前像素单元对应的数据线连接。

6.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述主区像素电极以及所述次区像素电极分别包括四畴电极结构；

所述四畴电极结构包括主干电极、边框电极以及多个分支电极。

7.一种应用于权利要求1-6任一项所述的阵列基板的驱动方法，其特征在于，所述方法包括：

T1阶段：在像素单元的主区像素电极以及次区像素电极充电之前，基于所述像素单元的相邻像素单元的第一信号变化，通过辅助电容对目标像素电极进行所述第一信号变化对应的第一电位变化处理；所述目标像素电极为与所述相邻像素单元对应的第二扫描线存在重叠区域的像素电极，所述辅助电容由所述重叠区域形成，所述目标像素电极为所述主区像素电极以及所述次区像素电极中的一者；

T2阶段：通过所述像素单元对应的第一扫描线，对所述主区像素电极以及所述次区像素电极进行充电，充电后的所述主区像素电极与充电后的所述次区像素电极的电位相同；

T3阶段：在像素单元的主区像素电极以及次区像素电极充电之后，基于所述相邻像素单元的第二信号变化，通过所述辅助电容对所述目标像素电极进行所述第二信号变化对应的第二电位变化处理，进行电位变化处理后的目标像素电极与未进行电位变化处理的另一像素电极的电位不同。