[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

说明书

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。提供了一种用于处理基板的方法。所述方法包括，在所述基板旋转的情况下，将第一处理液供应至所述基板的处理目标表面；和随后，在处于蒸汽状态的蒸发抑制剂存在于供应至所述基板的所述第一处理液的周围的情况下，将具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力的第二处理液供应至所述基板，使得所述基板上的所述第一处理液被所述第二处理液替代。因此，可以在施用到基板的清洁液周围形成蒸汽气氛。因此，可以在清洁液被有机溶剂替代的过程中，防止液膜破坏现象。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2019年5月14日递交韩国知识产权局的第10-2019-0056565号韩国专利申请的在美国法典35U.S.C.§119下的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置，尤其涉及一种用于将液体供应至基板、以使用该液体处理基板的基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

为了制造半导体设备，执行诸如摄影(photographing)、沉积、灰化、蚀刻、和离子注入的各种工艺。此外，在执行这些工艺前后，执行清洁工艺以清洁残留在基板上的颗粒。

清洁工艺包括：将化学品(chemical)供应至支承在旋转头上的旋转的基板；将诸如去离子水(deionized water,DIW)的清洁液供应至基板以从基板去除化学品；将具有比清洁液的表面张力低的表面张力的诸如异丙醇(isoproply alcohol,IPA)液体的有机溶剂供应至基板、以用该有机溶剂替代基板上的清洁液；和从基板去除替代的有机溶剂。

然而，当大量的IPA在用IPA替代去离子水的情况下蒸发时，由于有机溶剂和清洁液之间的表面张力的差异，形成在基板上的液膜被破坏，如图17所示。当液膜被破坏时，在尚未用有机溶剂替代图案内部的情况下，可能发生干燥，使得发生诸如倾斜和颗粒污染的缺陷。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种可以改进清洁效率的基板处理方法和装置。

本发明构思的实施方式提供了一种基板处理方法和装置，其防止在清洁液被有机溶剂替代的过程中液膜被破坏。

本发明构思的目的不限于此。通过以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他目的。

根据示例性实施方式，用于处理基板的装置包括：壳体，其具有限定在所述壳体中的处理空间；支承单元，其用于支承所述处理空间中的所述基板；第一处理液供应单元，其用于将第一处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的处理目标表面；第二处理液供应单元，其用于将第二处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板的所述处理目标表面，所述第二处理液具有比所述第一处理液的表面张力低的表面张力；和蒸汽生成调节单元，其用于将处于蒸汽状态的蒸发抑制剂喷射至所述处理空间中。

所述装置还可以包括：控制器，其配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，其中，所述控制器可以配置为控制所述第一处理液供应单元、所述第二处理液供应单元、和所述蒸汽生成调节单元，使得：所述第二处理液供应至其上已经存在有所述第一处理液的所述处理目标表面，使得所述处理目标表面上的所述第一处理液被所述第二处理液替代；并使得在排放所述第二处理液之前，将处于蒸汽状态的所述蒸发抑制剂供应至所述处理空间。

所述第一处理液可以为蒸馏水(DIW)，所述第二处理液可以为有机溶剂，且所述蒸发抑制剂可以为水。

所述蒸发抑制剂的表面张力可以大于所述第二处理液的表面张力。

所述蒸发抑制剂的表面张力可以等于或大于所述第一处理液的表面张力。

所述蒸发抑制剂可以与所述第一处理液为相同类型。