[发明专利]一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料

权利要求书

1.一种二硫化钼纳米带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在还原氛围的气流中，将硫氰酸盐置于所述气流的上游端，将钼酸盐置于所述气流的下游端，并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底，接着在150～600℃下煅烧45-90min。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述煅烧包括第一阶段和第二阶段：

所述第一阶段的煅烧温度为150-250℃，煅烧时间为30-60min；

优选的，所述第一阶段的煅烧温度为180-220℃，煅烧时间为40-50min；

优选的，所述第二阶段的煅烧温度为450-600℃，煅烧时间为15-30min；

优选的，所述第二阶段的煅烧温度为480-550℃，煅烧时间为20-25min。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述煅烧的过程中，升温速率为5-30℃/min；

优选的，所述升温速率为8-25℃/min；

更优选的，所述升温速率为10-20℃/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述硫氰酸盐与所述钼酸盐的质量比为1：(0.5-10)；

优选的，所述硫氰酸盐与所述钼酸盐的质量比为1：(0.66-7)；

优选的，所述硫氰酸盐与所述钼酸盐的质量比为1：(1-3)。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述衬底为SiO₂衬底和/或Si衬底；

优选的，所述衬底包括Si层和SiO₂层；

更优选的，所述SiO₂层的厚度为100-300nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述硫氰酸盐选自硫氰酸钾和/或硫氰酸钠；

优选的，所述钼酸盐为钼酸铵。

7.根据权利要求1所述的制备方法，所述还原气体的流速为5-100sccm，优选为10-80sccm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将硫氰酸盐放在第一陶瓷舟中，使硫氰酸盐集中在第一陶瓷舟沿气流方向的上游端；

将钼酸盐在第二陶瓷舟中铺开，并在第二陶瓷舟上部放置SiO₂/Si衬底，且SiO₂面朝下；

(2)将第一陶瓷舟放置在管式炉的一端，将第二陶瓷舟放置在管式炉的中央，并向管式炉中通入还原气体，其中进气口设置在临近所述第一陶瓷舟的一端，出气口设置在远离所述第一陶瓷舟的一端；

(4)将管式炉以5-30℃/min的升温速率升温至150-250℃，并在150-250℃下煅烧30-60min，接着以5-30℃/min的升温速率升温至450-600℃，并在450-600℃下煅烧15-30min。

9.一种根据权利要求1-8中任意一项所述的制备方法制备得到的二硫化钼纳米带；

优选的，所述二硫化钼纳米带直接负载在SiO₂衬底上。

10.一种场效应晶体管的电极材料，其特征在于，包括权利要求9所述的二硫化钼纳米带；

所述电极材料的开电流能≥90μA/μm；跨导≥4μS/μm，载流子迁移率≥100cm²/(V·s)，开关比≥10⁸。