[发明专利]硅片处理方法及装置在审
| 申请号： | 202010407031.4 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111477539A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李亮亮 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 处理 方法 装置 | ||
1.一种硅片处理方法，其特征在于，包括：
将硅片放置于真空腔室内；
在所述真空腔室中通入惰性气体；
在第一阶段，利用电场将惰性气体电离为等离子体，利用等离子体轰击所述硅片的表面去除所述硅片表面的杂质；
在第二阶段，提高所述电场的强度，利用等离子体轰击所述硅片表面，控制所述硅片的温度上升对所述硅片进行热处理。
2.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，还包括：
在第三阶段，降低所述电场的强度，控制所述硅片的温度下降。
3.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，在所述第一阶段，所述硅片的温度为200-400℃，在所述第二阶段，所述硅片的温度为700-900℃。
5.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，
在所述第二阶段，所述硅片的升温速率为8-10℃/min。
6.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，
在所述第三阶段，所述硅片的降温速率为16-20℃/min。
7.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，所述第一阶段的持续时间为10-20min，所述第二阶段的持续时间为20min-120min。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的硅片处理方法，其特征在于，还包括：
在第四阶段，关闭所述电场，对所述硅片进行冷却。
9.根据权利要求8所述的硅片处理方法，其特征在于，所述第四阶段的持续时间为1-1.5h。
10.一种硅片处理装置，其特征在于，用以执行如权利要求1-9中任一项所述的硅片处理方法，所述装置包括：
真空腔室；
设置在所述真空腔室内的基台，所述基台上设置有用于支撑硅片的支撑结构；
设置在所述真空腔室内的电源单元，用于在所述真空腔室内形成电场，所述基台与所述电源单元的负极连接；
设置在所述基台内部的冷却液循环单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
