[发明专利]功率半导体器件驱动电源短路检测电路在审

专利信息
申请号: 202010407073.8 申请日: 2020-05-14
公开(公告)号: CN111426932A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 王伟;黄辉;傅俊寅;汪之涵 申请(专利权)人: 深圳青铜剑技术有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/40;G01R31/52
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体器件 驱动 电源 短路 检测 电路
【说明书】:

发明公开了一种功率半导体器件驱动电源短路检测电路,用于检测驱动电源所分配出的关断电源的短路状态。所述功率半导体器件驱动电源短路检测电路包括电源输入模块、电压判断模块及输出缓冲模块。所述电压判断模块电连接于电源输入端及输出缓冲模块之间。所述电源输入模块用于为功率半导体器件提供关断电压,所述关断电压包括第一电压及第二电压。所述电压判断模块用于根据第一电压及第二电分别形成不同的电流状态,以使得输出缓冲模块分别进行充电和放电,从而产生不同的电平信号以判断电源输入模块的短路状态。如此,能够在短路发生时及时地进行关闭关断电源操作,从而减小功耗。

技术领域

本发明涉及功率半导体器件驱动技术领域,尤其涉及一种功率半导体器件驱动电源短路检测电路。

背景技术

在功率半导体器件的驱动应用中,为了使得功率半导体器件能够可靠地开通和关断,需要不同开通电压和关断电压。我们利用稳压器将单电源分配成一个开通电源及一个关断电源,分别用于产生功率半导体器件的开通电压及关断电压(请参考图1)。

然而,当功率半导体器件为IGBT时,为了IGBT能够可靠的开通和关断,通常需要15V的开通电压和-10V的关断电压;而当功率半导体器件为MOSFET时,通常需要的关断电压为0V。为了能兼容IGBT和MOSFET这两种不同的器件,在驱动集成电路的设计中,需要在MOSFET的应用中将驱动电源的分配出的关断电源短路,短路后要求关闭所述关断电源,否则持续的短路电流将会造成芯片增加较大的发热和功耗。因此,实时检测驱动电源分配出的关断电源是否短路的问题将显得尤为重要。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本申请的发明构思及技术方案,其并不必然属于本申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本申请的申请日已经公开的情况下,上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

发明内容

鉴于此,有必要提供一种功率半导体器件驱动电源短路检测电路,能够检测驱动电源分配出的关断电源的短路状态,以便能够在短路发生时及时地关闭所述关断电源,从而减小功耗。

本发明为达上述目的所提出的技术方案如下:

一种功率半导体器件驱动电源短路检测电路,用于检测驱动电源分配出的关断电源的短路状态,所述功率半导体器件驱动电源短路检测电路包括电源输入模块、电压判断模块及输出缓冲模块,所述电压判断模块电连接于所述电源输入端及所述输出缓冲模块之间,所述电源输入模块用于为所述功率半导体器件提供关断电压,所述关断电压的电压类型包括第一电压及第二电压,所述电压判断模块用于对所述关断电压的电压类型进行判断,并根据判断结果分别形成不同的电流状态,以使得所述输出缓冲模块产生不同的电平信号,进而判断所述电源输入模块的短路状态;

当所述电压判断模块判断所述关断电压为所述第一电压时,所述电压判断模块的输出端为电流释放状态,所述输出缓冲模块在所述电压判断模块释放的电流下进行充电,以产生一高电平信号,则所述电源输入模块为正常供电状态;

当所述电压判断模块判断所述关断电压为所述第二电压时,所述电压判断模块的输出端为电流补偿状态,所述输出缓冲模块将对所述电压判断模块进行放电,以产生一低电平信号,则所述电源输入模块为短路状态。

进一步地,所述功率半导体器件驱动电源短路检测电路还包括弱上拉偏置模块,所述弱上拉偏置模块与所述电压判断模块电连接,所述弱上拉偏置模块用于在所述电源输入模块浮空时,提供一个上拉电流。

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