[发明专利]一种P型钝化接触太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种P型钝化接触太阳能电池，通过从迎光面到背光面依次接触设置的正面栅线、正面外延层、N型扩散层、P型基体硅、背面外延层及背面栅线；所述正面外延层包括正面接触钝化层及正面覆盖钝化层；所述正面接触钝化层设置于所述P型钝化接触太阳能电池的正面的金属区；所述正面覆盖钝化层设置于所述正面的非金属区；所述正面接触钝化层从迎光面到背光面依次包括磷掺杂多晶硅层及第一二氧化硅层。本发明降低了金属‑半导体连接处的复合速率，提高了电池的发电效率，由于所述金属区只占整个太阳能电池表面的小部分，进而提升电池片的发电效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的P型钝化接触太阳能电池的制作方法。

技术领域

本发明涉及光伏发电领域，特别是涉及一种P型钝化接触太阳能电池及其制作方法。

背景技术

太阳能作为一种可再生能源，从发明初期就受到全世界的重视，进入21世纪后，越来越多的太阳能电池发电技术得到发展，作为太阳能光电利用中发展最快的领域之一，晶体硅电池的技术发展颇受瞩目，但其度电成本的限制导致市场竞争不足，解决这一问题的方法归根结底是技术创新，人们不断研制开发更具潜力的电池结构，优化工艺制程，从而提升晶硅电池效益。

现有的太阳能电池，经过丝网印刷与烧结后，金属电极直接与半导体机体接触，导致复合速率仍然较高，使得目前电池效率与理论效率仍差距较大。而目前为了解决金属电极的接触问题，通常采用掺杂多晶硅的整面钝化层改善电极接触性能，但掺杂多晶硅又具有较强的吸光特性，使得一部分入射光不能被电池有效利用，造成光寄生损失导致电流密度下降，拉低太阳能电池发电效率。

因此，如何找到一种在保证电极接触性能良好的同时，避免多晶硅导致的光寄生损失的方法，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种P型钝化接触太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中由于降低多晶硅吸光效应太强导致光寄生损失与改善金属电极接触性能不可兼得的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种P型钝化接触太阳能电池，包括：

从迎光面到背光面依次接触设置的正面栅线、正面外延层、N型扩散层、P型基体硅、背面外延层及背面栅线；

所述正面外延层包括正面接触钝化层及正面覆盖钝化层；

所述正面接触钝化层设置于所述P型钝化接触太阳能电池的正面的金属区；所述正面覆盖钝化层设置于所述正面的非金属区；

所述正面接触钝化层从迎光面到背光面依次包括磷掺杂多晶硅层及第一二氧化硅层。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述背面外延层包括背面接触钝化层及背面覆盖钝化层；

所述背面接触钝化层设置于所述P型钝化接触太阳能电池的背面的金属区；所述背面覆盖钝化层设置于所述背面的非金属区；

所述背面接触钝化层从迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅层及硼掺杂多晶硅层。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述背面接触钝化层还包括第一氧化铝层；

所述背面接触钝化层从迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅层、硼掺杂多晶硅层及所述第一氧化铝层。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述正面金属区及所述背面金属区为表面抛光的平面结构。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述正面覆盖钝化层从迎光面到背光面依次包括第一氮化硅层及第三二氧化硅层。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述背面覆盖钝化层从迎光面到背光面依次包括第二氧化铝层及第二氮化硅层。

可选地，在所述的P型钝化接触太阳能电池中，所述P型钝化接触太阳能电池为表面制绒的太阳能电池。