[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010407339.9 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111584513B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 王俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131;H10K59/124;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,该显示面板具有相邻设置的绑定区和显示区,显示区包括层叠设置的阵列基板、源漏极层、钝化层、平坦化层、阳极层以及第一透明导电层。平坦化层设置有通孔,通孔延伸至钝化层靠近源漏极层的一侧。将第一透明导电层设置在阳极层与源漏极层之间,第一透明导电层遮盖通孔靠近源漏极层的端面,且第一透明导电层覆盖面积不超出阳极层覆盖面积,第一透明导电层通过通孔连接源漏极层和阳极层。由于第一透明导电层覆盖面积不超出阳极覆盖面积,可提高开口率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
顶发射有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emittingdiode,AMOLED)技术具有开口率大的优势。但是阳极中的金属在可靠性测试(reliabilityanalysis,RA)过程中会腐蚀,因此增加一道透明导电层制程作为绑定面板(bonding pad)。但为避免源漏极在透明导电层退火制程中氧化,需要盖住源漏极的搭接孔。相关技术中,由于透明导电层整面覆盖平坦化层,超出了阳极覆盖面积,会导致开口率下降。
发明内容
本申请实施例提供一种显示器件、显示器件制程方法及显示面板,透明导电层仅覆盖了源漏极的搭接孔,能够提高显示面板的开口率。
本申请提供一种显示面板,具有相邻设置的绑定区和显示区,所述显示区包括:
阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
源漏极层,所述源漏极层设置在所述第一面,且部分覆盖所述第一面;
钝化层,所述钝化层设置在所述源漏极层远离所述第一面的一侧,且覆盖所述源漏极层和所述第一面;
平坦化层,所述平坦化层设置在所述钝化层远离所述源漏极层的一侧,所述平坦化层设置有通孔,所述通孔延伸至所述钝化层靠近所述源漏极层的一侧;
阳极层,所述阳极层设置在所述平坦化层远离所述第一面的一侧;
第一透明导电层,所述第一透明导电层设置在所述阳极层与所述源漏极层之间,所述第一透明导电层遮盖所述通孔靠近所述源漏极层的端面,且所述第一透明导电层覆盖面积不超出所述阳极层覆盖面积,所述第一透明导电层通过所述通孔连接所述源漏极层和所述阳极层。
在一些实施例中,所述第一透明导电层设置在所述平坦化层远离所述第一面的一侧,并穿过所述通孔与所述源漏极层接触。
在一些实施例中,所述第一透明导电层设置在所述源漏极层远离所述第一面的一侧,所述阳极层穿过所述通孔与所述导电层接触。
在一些实施例中,所述第一透明导电层包覆所述源漏极层且延伸至所述第一面。
在一些实施例中,所述第一透明导电层设置在所述钝化层远离所述第一面的一侧,并穿过所述通孔与所述源漏极层接触,所述阳极层穿过所述通孔与所述透明导电层接触。
在一些实施例中,所述源漏极层靠近所述第一透明导电层一侧的正投影的形状与所述第一透明导电层的形状对应。
在一些实施例中,所述阳极层包括层叠设置的第一透明金属氧化物层、金属层和第二透明金属氧化物层,所述第一透明金属氧化物层设置在靠近所述第一面的一侧。
在一些实施例中,所述阵列基板包括玻璃基板和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管部分覆盖所述玻璃基板,所述源漏极层部分覆盖所述薄膜晶体管,所述钝化层覆盖所述源漏极层、所述薄膜晶体管,且延伸至所述玻璃基板。
在一些实施例中,所述绑定区包括所述玻璃基板、金属层、第二透明导电层,所述金属层部分覆盖所述玻璃基板,且与所述薄膜晶体管同层设置,所述金属层与所述钝化层之间具有间隔,所述第二透明导电层覆盖所述金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的