[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202010407451.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111584577A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:薄膜晶体管阵列基板、存储电容和发光器件;其中,
所述薄膜晶体管阵列基板包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管电性连接;
所述驱动薄膜晶体管与所述发光器件电性连接;
所述存储电容包括所述开关薄膜晶体管的第一有源层的导体化部分和所述发光器件的阳极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管包括所述第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一有源层电性连接;
所述驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极,所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层电性连接,所述第二栅极与所述第一漏极电性连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
基底;
第一缓冲层,所述第二有源层覆盖所述第一缓冲层的一部分;
第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层覆盖所述第二有源层和所述第一缓冲层;
遮光层,所述遮光层与所述第二栅极同层设置;
第二缓冲层,所述第二缓冲层覆盖所述遮光层、所述第二栅极和所述第一栅极绝缘层,所述第一有源层设置在所述第二缓冲层上;
第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一有源层的一部分,所述第一栅极设置在所述第二栅极绝缘层上;
层间介质层,所述层间介质层覆盖所述第二缓冲层、所述第一有源层、所述第一栅极;
金属层,所述金属层包括第一连接线、第一过孔、第二过孔和第三过孔,其中,所述第一连接线设置在所述层间介质层上,且所述第一连接线的第一端通过所述第一过孔与所述第一漏极电性连接,所述第二过孔贯穿所述层间介质层,所述第一连接线的第二端通过所述第二过孔与所述第二栅极电性连接,所述第二漏极通过所述第三过孔与所述阳极电性连接;
钝化层,所述钝化层覆盖所述层间介质层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述存储电容包括作为下极板的所述第一有源层的导体化部分和作为上极板的与所述下极板相对设置的所述阳极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述存储电容还包括介电层,所述介电层包括设置于所述上极板和所述下极板之间的所述层间介质层、所述钝化层、所述发光器件的彩膜层、所述发光器件的像素定义层中的一者或其任意组合。
6.根据权利要求1至5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括补偿薄膜晶体管,所述补偿薄膜晶体管包括第三有源层、第三栅极、第三源极和第三漏极,所述第三源极和所述第三漏极分别与所述第三有源层电性连接,其中,所述第三有源层和所述第一有源层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括第三栅极绝缘层,所述第三栅极绝缘层设置在所述第三有源层上,所述第三栅极设置在所述第三栅极绝缘层上,且所述第三栅极绝缘层是在形成所述第二栅极绝缘层时形成的。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述金属层还包括第二连接线和第四过孔,所述第二连接线的第一端通过所述第三过孔与所述第二漏极电性连接,所述第二连接线的第二端通过所述第四过孔与所述第三源极电性连接。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,其中,所述开关薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极,所述驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极;
对所述第一有源层的至少一部分进行导体化处理,以形成存储电容的下极板;
在所述薄膜晶体管阵列基板上形成发光器件,所述发光器件包括彩膜层、阳极、发光层、阴极和像素定义层,其中,所述阳极与所述下极板对应的位置作为所述存储电容的上极板。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述存储电容还包括介电层,所述介电层包括设置于所述上极板和所述下极板之间的层间介质层、钝化层、所述彩膜层、所述像素定义层中的一者或其任意组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的