[发明专利]金属化合物及使用其制造半导体器件的方法

说明书

本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X₁、X₂、X₃、X₄和X₅各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

对相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2019年5月14日提交的韩国专利申请No.10-2019-0056596以及于2019年11月1日提交的韩国专利申请No.10-2019-0138404的优先权，将其公开内容全部通过引用在此引入。

技术领域

本发明构思涉及金属化合物以及使用其制造半导体器件的方法，并且更具体地，涉及使用本发明的金属化合物的沉积工艺。

背景技术

近年来，电子技术的发展已经迅速加快了半导体器件的小型化。由于这些原因，半导体器件的图案已经变得复杂和精细，这已经导致更复杂的半导体制造。对于容易形成薄层以制造半导体器件存在增加的需求。

发明内容

本发明构思的一些实例实施方式提供具有输运容易性和稳定性的沉积前体。

本发明构思的一些实例实施方式提供形成薄金属层的方法，其中所述薄金属层具有低的电阻率。

根据本发明构思的一些实例实施方式，金属化合物可包括化学式1的材料：

[化学式1]

其中：

M为Nb或Ta；

R为取代或未取代的C3-C10烷基；和

X₁、X₂、X₃、X₄和X₅各自独立地选自F、Cl、Br和I。

根据本发明构思的一些实例实施方式，制造半导体器件的方法可包括:提供沉积前体；和使用所述沉积前体形成层(例如，薄层)。在一些实施方式中，所述方法包括制备所述沉积前体。所述沉积前体可包括化学式1的金属化合物。

[化学式1]

其中：

M为Nb或Ta；

R为取代或未取代的C3-C10烷基；和

X₁、X₂、X₃、X₄和X₅各自独立地选自F、Cl、Br和I。

附图说明

图1说明使用根据一些实例实施方式的金属化合物的沉积工艺的流程图。

图2说明显示根据一些实例实施方式的沉积系统的示意图。

图3A和3B说明显示根据一些实例实施方式的形成薄层的方法的横截面图。

图4A-4G说明显示根据一些实例实施方式的制造半导体器件的方法的横截面图。

具体实施方式

如本文在该说明书中使用的，语言“未取代或取代的”可意指未取代的或者被选自如下的至少一个取代基取代：氘原子、卤素原子、环烷基、芳基、杂芳基、杂脂环、羟基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、氰基、羰基、氨基、及其任意衍生物。另外，各取代基可为取代或未取代的。例如，卤代烷基可解释成被卤素取代的烷基。