[发明专利]记忆装置存取管理方法、记忆装置及其控制器、电子装置

说明书

本发明公开了一种用来借助于信息排列进行一记忆装置的存取管理的方法以及相关设备(例如所述记忆装置及其控制器、以及电子装置)。所述方法可包括：当所述主装置发送一写入指令至所述记忆装置，利用所述存储器控制器依据数据产生分别对应于所述非挥发性存储器的多组记忆细胞的多个错误更正码(简称ECC)组块，以供建立所述多个ECC组块与所述多组记忆细胞之间的一对一映射；以及利用所述存储器控制器将所述多个ECC组块分别存储至所述多组记忆细胞中，以避免所述多个ECC组块的任两个ECC组块共享所述多组记忆细胞的相同组记忆细胞，以加强所述存储器控制器对于所述数据的读取效能。本发明能确保系统妥善地运作，以避免位错误率、系统可靠性降低等问题。

技术领域

本发明是关于闪存的存取控制，尤指一种用来借助于信息排列进行一记忆装置的存取管理的方法以及相关设备(例如所述记忆装置及其控制器诸如所述记忆装置中的一存储器控制器、以及一电子装置)。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：分别符合SD/MMC、CF、MS、XD及UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘(solid state drive,SSD)；又例如：分别符合UFS及EMMC规格的嵌入式(embedded)记忆装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可包括单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两位的信息(诸如00、01、11、10)。理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保在记忆装置中对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，具备上列管理机制的记忆装置仍有不足的地方。例如，当三阶细胞(triple level cell,TLC)闪存被应用于记忆装置时，会有位错误率增加等问题。虽然针对自三阶细胞闪存读取数据的传统感测方案已被提出来尝试解决这些问题，但在具有四阶细胞(Quadruple level cell,QLC)闪存的记忆装置上并不管用。尤其，传统感测方案对于在四阶细胞闪存中的每记忆细胞的高阶存储电位(high-level per memory cell)并不好，且系统可靠性(reliability)会被最弱页面限制。因此，需要一种新颖的方法以及相关架构，以在没有副作用或较不会带来副作用的情况下加强整体效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来借助于信息排列进行一记忆装置的存取管理的方法、相关设备(例如所述记忆装置及其控制器诸如所述记忆装置中的一存储器控制器、以及一电子装置)，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来借助于信息排列进行一记忆装置的存取管理的方法、相关设备(例如所述记忆装置及其控制器诸如所述记忆装置中的一存储器控制器、以及一电子装置)，以在没有副作用或较不会带来副作用的情况下加强整体效能。