[发明专利]一种基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器

权利要求书

1.一种基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，包括缺陷感应面，在所述缺陷感应面的不同位置处设置电流探测器，所述电流探测器的信号输入端与所述缺陷感应面电连接，所述电流探测器的信号输出端与多路复用器的信号输入端电连接，所述多路复用器将电流探测器的输出信号复用为两路输出给运算放大器。

2.根据权利要求1所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述缺陷感应面的不同形状和不同尺寸的缺陷结构对应不同频率的入射太赫兹波。

3.根据权利要求2所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，根据测量范围的不同，所述缺陷结构的形状、尺寸或缺陷结构阵列单元的数量不同。

4.根据权利要求1-3任一项所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述缺陷感应面的缺陷结构包括：U形缺陷结构、C形缺陷结构、矩形缺陷结构或螺旋形缺陷结构。

5.根据权利要求4所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述缺陷感应面设置有金属层，所述缺陷结构刻蚀在所述金属层上。

6.根据权利要求1所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述电流探测器分为多组，每组所述电流探测器对应一个多路复用器。

7.根据权利要求6所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，不同组所述电流探测器分别设置在所述缺陷感应面不同频率的入射太赫兹波所激励的电流密度分布最大处。

8.根据权利要求4所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述缺陷结构设置在所述缺陷感应面需要测量频率处对应电流分布密集的位置。

9.根据权利要求1所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述电流探测器包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一MOS管的栅极分别与所述缺陷感应面和所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端与第三电源电连接；所述第一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端和多路复用器电连接，所述第一MOS管的源极接地；所述第二MOS管的漏极分别与所述第二电阻的第一端和多路复用器电连接，所述第二MOS管的栅极与所述第三电阻的第一端接地，所述第二MOS管的源极接地；所述第一电阻和所述第二电阻的第二端均与第一电源的正极电连接，所述第三电阻的第二端与第二电源电连接。

10.根据权利要求1所述的基于缺陷感应面的小型化太赫兹信号探测器，其特征在于，所述缺陷感应面产生感应电流分布后，所述电流探测器对信号进行校正，并产生与感应电流密度成比例的响应，所述响应与基准信号进行比较后输出至多路复用器。