[发明专利]一种降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺在审
| 申请号： | 202010408295.1 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111575790A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 邓碧鑫;刘茂;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶片 多晶 沉积 崩边率 工艺 | ||
1.一种降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于,包括以下步骤：
S1、选取石英舟，并对其加工处理，以减少多晶沉积过程中粘连的面积，以及减少局部沉积量；
S2、调整石英舟转速及沉积压力，以改善硅片与石英舟接触部位多晶生长引起的应力；
S3、调整降舟速度，以缓慢释放硅片在冷却过程中产生的应力；
S4、调整机械手取片速度，以降低因机械应力引发的崩边率。
2.根据权利要求1所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述步骤S1中，选取半导体级高纯石英舟；
对石英舟加工处理的方法如下：
使用50-500目石英砂对石英舟的表面进行喷砂打磨；
对喷砂打磨后的石英舟进行清洗、烘干、检验后制成砂化石英舟。
3.根据权利要求2所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述砂化石英舟的表面粗糙度在0.5-6μm之间。
4.根据权利要求1所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述步骤S2中，石英舟的转速为1.3转/分钟-2转/分钟。
5.根据权利要求1所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述步骤S2中，沉积压力为15Pa-20Pa。
6.根据权利要求1所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述步骤S3中，降舟速度为150mm/min-250mm/min。
7.根据权利要求1所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，其特征在于：所述步骤S4中，机械手取片速度为1st(10mm/s)；2nd(0.5-1mm/s)；3rd(10mm/s)；
其中，1st(10mm/s)表示机械手接近硅片时，但未发生接触时的速度；
2nd(0.5-1mm/s)表示机械手接触硅片，并缓慢将硅片托起，同时使硅片慢速脱离与石英舟的接触时的速度；
3rd(10mm/s)表示将硅片抬起至目标高度时的速度。
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