[发明专利]判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法及其结构

权利要求书

1.一种判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在玻璃基板上依次形成a-Si半导体层、铜扩散阻挡层以及铜电极层，通过黄光以及刻蚀制程来形成图案化；

步骤S2、在所述玻璃基板上形成透明电极层；

步骤S3、对所述玻璃基板进行高温恶化处理，在所述高温恶化处理过程中，所述铜电极层中的铜原子以及所述a-Si半导体层中的硅原子通过铜扩散阻挡层扩散，逐渐形成铜-硅合金层，其中铜-硅合金层呈黑色；

步骤S4、观察所述玻璃基板的复合膜层样片表面呈现黑色铜-硅合金层的程度；

步骤S5、更换所述步骤S1中的所述铜扩散阻挡层的材料，并重复步骤S1-步骤S4，观察不同的铜扩散阻挡层材料制成的复合膜层样片表面颜色变化情况，如表面颜色先变黑，则表明对应的铜扩散阻挡层材料对铜原子的阻挡效果较差。

2.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S1中通过化学气相沉积或物理气相沉积形成a-Si半导体层、铜扩散阻挡层以及铜电极层。

3.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S1中所述铜扩散阻挡层设置在所述a-Si半导体层与所述铜电极层之间。

4.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S2中所述透明电极层为氧化铟锡或氧化铟锌或二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，所述透明电极层完全覆盖所述a-Si半导体层以及所述铜电极层。

6.根据权利要求4所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S2中通过化学气相沉积或物理气相沉积形成所述透明电极层。

7.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S3中所述高温恶化处理的温度为200℃～400℃，处理时间为0.5小时～10小时。

8.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S5中所述铜扩散阻挡层的材料包括Mo或Ti或MoTi或MoNb。

9.根据权利要求1所述的判断铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，在所述步骤S5中通过判断所述不同的铜扩散阻挡层材料制成的复合膜层样片表面颜色变黑的程度来判断出所述不同的铜扩散阻挡层材料的阻挡铜原子扩散的能力。

10.一种判断铜扩散阻挡层阻挡能力的结构，其特征在于，包括：

玻璃基板；

第一铜-硅合金层，设置在所述玻璃基板上；

铜扩散阻挡层，设置在所述第一铜-硅合金层上；

第二铜-硅合金层设置在所述铜扩散阻挡层上；

透明电极层，设置在所述第二铜-硅合金层上；

其中所述第一铜-硅合金层以及第二铜-硅合金层相互连接。