[发明专利]一种双面显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010408744.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111584578A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板的显示区定义有发光区和围绕所述发光区的非发光区;
所述双面显示面板包括基板,及位于所述基板上且对应所述非发光区设置的薄膜晶体管,以及位于所述基板上且对应所述发光区设置的第一发光单元和第二发光单元;
所述第一发光单元和所述第二发光单元的其中之一为顶发光结构,另一个为底发光结构;
其中,一个所述第一发光单元和一个所述第二发光单元对应连接至同一所述薄膜晶体管,所述第一发光单元和所述第二发光单元同步显示。
2.如权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板还包括:
电极层,设置于所述基板上方;
反射层,设置于所述电极层上方;
缓冲层,设置于所述反射层上方;
薄膜晶体管层,设置于所述缓冲层上方,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极绝缘层、栅极以及源/漏极;
发光器件层,设置于所述缓冲层上方,所述发光器件层位于所述发光区,所述发光器件层包括阳极、发光层以及阴极;
其中,所述有源层与所述阳极同层且间隔设置;所述栅极和所述源/漏极同层且间隔设置。
3.如权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光单元和所述第二发光单元共用一个所述阳极,所述第一发光单元和所述第二发光单元显示同一颜色。
4.如权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述电极层包括对应所述薄膜晶体管的有源层设置的第一电极、对应所述阳极设置的第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极。
5.如权利要求4所述的双面显示面板,其特征在于,所述反射层包括对应所述非发光区设置的第一反射电极、对应所述发光区设置的第二反射电极、以及位于所述第一反射电极与所述第二反射电极之间的第三反射电极。
6.如权利要求5所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第一电极;
所述第二反射电极在所述基板上的正投影位于所述第二电极内,且所述第一发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内,或者所述第二发光单元在所述基板上的正投影位于所述第二反射电极内;
所述第三反射电极在所述基板上的正投影完全覆盖所述第三电极。
7.如权利要求6所述的双面显示面板,其特征在于,所述源极与所述第三反射电极电连接。
8.如权利要求7所述的双面显示面板,其特征在于,所述源极与所述阳极电连接,所述电极层为透明材料。
9.如权利要求4所述的双面显示面板,其特征在于,所述双面显示面板还包括存储电容,所述存储电容包括相对设置的所述第二电极和所述阳极。
10.一种双面显示面板的制备方法,其特征在于,所述双面显示面板包括对应显示区定义的发光区和围绕所述发光区的非发光区,所述制备方法包括:
步骤S10:提供一基板,在所述基板上形成电极层和反射层;
步骤S20:对所述电极层和反射层图案化处理,形成位于所述非发光区的第一电极、位于所述发光区的第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极;同时形成位于所述第一电极上方的第一反射电极、位于所述第二电极上方的第二反射电极,以及位于所述第三电极上方的第三反射电极;
步骤S30:在所述反射层上依次形成缓冲层和金属层,对所述金属层图案化处理,形成位于所述非发光区且与所述第一电极对应的有源层,以及位于所述发光区且与所述第二电极对应的金属膜层;
步骤S40:在所述有源层和所述金属膜层上方形成栅极绝缘层,对所述栅极绝缘层图案化处理,形成位于所述有源层上方的过孔,以及将所述金属膜层部分暴露的开孔;
步骤S50:对所述有源层和所述金属膜层同时进行导体化处理,形成位于所述过孔位置的导体化有源层,以及位于所述开孔位置的阳极;
步骤S60:在所述栅极绝缘层上方依次形成栅极、源/漏极以及像素定义层;
步骤S70:在所述阳极上依次形成发光层和阴极。
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