[发明专利]一种超宽带同轴耦合器

说明书

本发明公开了一种超宽带同轴耦合器，包括垂直连接的主线外壳和耦合外壳，主线外壳与耦合外壳连通，主线外壳内设有主线中心针，耦合外壳内设有耦合中心针，主线中心针的中部与耦合中心针的尾部耦合，主线外壳内设有对应耦合中心针的尾部的凸出部，凸出部和耦合中心针形成旁路耦合电容。通过在主线中心针与耦合中心针的耦合处增设旁路耦合电容，利用主线中心针/耦合中心针/主线中心针的耦合斜率反向特性，使耦合器的平坦度大大增加，在传统耦合器的带宽约30％的基础上将耦合器的带宽拓宽到120％，以满足当前形势下系统对耦合器带宽越来越高的使用需求，降低耦合器的设计成本。

技术领域

本发明涉及微波通讯技术领域，尤其涉及一种超宽带同轴耦合器。

背景技术

随着5G通讯技术的发展，微波器件需要处理的带宽越来越大，甚至超过了微波器件设计时的理论上限，现有的传统耦合器通常耦合斜率大、耦合带宽不超过30％，且耦合平坦度较差，通常采用设计不同规格的耦合器的方法满足不同系统的耦合要求，导致方案设计有较大的局限性、通用性差，且成本上升，因此需要一种超宽带同轴耦合器满足市场的使用需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种满足超宽带工作需求的超宽带同轴耦合器。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种超宽带同轴耦合器，包括垂直连接的主线外壳和耦合外壳，所述主线外壳与所述耦合外壳连通，所述主线外壳内设有主线中心针，所述耦合外壳内设有耦合中心针，所述主线中心针的中部与所述耦合中心针的尾部耦合，所述主线外壳内设有对应所述耦合中心针的尾部的凸出部，所述凸出部和所述耦合中心针形成旁路耦合电容。

本发明的有益效果在于：通过在主线中心针与耦合中心针的耦合处增设旁路耦合电容，利用主线中心针/耦合中心针/主线中心针的耦合斜率反向特性，使耦合器的平坦度大大增加，在传统耦合器的带宽约30％的基础上将耦合器的带宽拓宽到120％，以满足当前形势下系统对耦合器带宽越来越高的使用需求，降低耦合器的设计成本。

附图说明

图1为本发明实施例一的超宽带同轴耦合器的局部剖视图；

图2为图1中A处的示意图；

图3为图1中B处的示意图；

图4为本发明实施例一的超宽带同轴耦合器中耦合中心针的结构示意图；

图5为本发明实施例一的超宽带同轴耦合器的电路原理图。

标号说明：

1、主线外壳；11、主线中心针；12、凸出部；13、绝缘介质；14、第一绝缘体；141、气密性测试孔；15、第二绝缘体；151、内密封圈；152、外密封圈；16、安装台；17、安装孔；2、耦合外壳；21、耦合中心针；211、调节螺纹；22、内螺纹；3、旁路耦合电容。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：在主线中心针与耦合中心针的耦合处增设旁路耦合电容。

请参照图1至图5，一种超宽带同轴耦合器，包括垂直连接的主线外壳1和耦合外壳2，所述主线外壳1与所述耦合外壳2连通，所述主线外壳1内设有主线中心针11，所述耦合外壳2内设有耦合中心针21，所述主线中心针11的中部与所述耦合中心针21的尾部耦合，所述主线外壳1内设有对应所述耦合中心针21的尾部的凸出部12，所述凸出部12和所述耦合中心针21形成旁路耦合电容3。

本发明的结构原理简述如下：通过在主线中心针11与耦合中心针21的耦合处增设旁路耦合电容3，利用主线中心针11/耦合中心针21/主线中心针11的耦合斜率反向特性，使耦合器的平坦度大大增加。