[发明专利]一种高压功率半导体器件在审
| 申请号： | 202010410064.4 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113675257A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金锐;刘江;吴军民;高明超;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 | ||
1.一种高压功率半导体器件，其特征在于，包括元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽；
所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述元胞结构包括金属化阳极(4)和第二导电类型半导体区(1)；
所述第二导电类型半导体区(1)设置于所述元胞结构上部边缘，所述金属化阳极(4)覆盖于所述第二导电类型半导体区(1)上；
所述终端结构还包括截止环(8)，所述截止环(8)位于所述元胞结构弧形槽的底部；
所述掺杂条配合所述弧形槽的形状设置于所述第二导电类型半导体区(1)和截止环(8)之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂条包括第一导电类型掺杂条(11)和第二导电类型掺杂条(12)；
所述第一导电类型掺杂条(11)在靠近所述金属化阳极(4)位置的面积大于靠近所述截止环(8)位置的面积；所述第二导电类型掺杂条(12)在靠近所述金属化阳极(4)位置的面积小于靠近所述截止环(8)位置的面积；
所述第一导电类型掺杂条(11)和所述第二导电类型掺杂条(12)浓度相同，导电类型不同。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂条(11)和第二导电类型掺杂条(12)均为条状结构。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂条(11)为条状结构；
所述第二导电类型掺杂条(12)包括由多个区域构成的条状结构，所述每个区域的掺杂浓度不同。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂条(11)为条状结构，所述第二导电类型掺杂条(12)为块状结构；所述块状结构为多个，且面积相等；
所述第二导电类型掺杂条(12)以多行多列的形式镶嵌在所述第一导电类型掺杂条(11)中，且沿所述第二导电类型半导体区(1)到截止环(8)的方向数量逐渐增多。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述元胞结构还包括金属化阴极(5)、第一导电类型半导体区(3)和半导体漂移区(2)；
所述金属化阴极(5)位于第一导电类型半导体区(3)的背面；所述半导体漂移区(2)位于所述第一导电类型半导体区(3)的正面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括硅、锗硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、三氧化二镓或金刚石。
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