[发明专利]曝光装置、曝光方法、决定方法和物品制造方法在审

专利信息
申请号: 202010410612.3 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111948910A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 八讲学 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 汪晶晶
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 曝光 装置 方法 决定 物品 制造
【权利要求书】:

1.一种曝光装置,其特征在于,包括照明光学系统以及被配置为利用从照明光学系统提供的光在基板上形成投影图像的投影光学系统,

其中照明光学系统在该照明光学系统的光瞳平面上形成包括第一区域和第二区域的发光区域,

从包括由来自第一区域的第一光形成的第一图像和由来自第二区域的第二光形成的第二图像的多个图像合成投影图像,

第一光和第二光中的至少一个是宽带光,以及

第二图像中由散焦引起的线宽的增加/减小变化相对于第一图像中由散焦引起的线宽的增加/减小变化具有不同的符号,并且通过合成第一图像和第二图像而获得的图像中由散焦引起的线宽的增加/减小变化减小。

2.根据权利要求1所述的装置,其中第一光和第二光都是宽带光。

3.根据权利要求1所述的装置,其中宽带光具有包括由汞灯生成的多条亮线的带。

4.根据权利要求1所述的装置,其中第一区域和第二区域中的每一个都具有环形形状。

5.根据权利要求1所述的装置,其中第一光的波长与第二光的波长彼此不同。

6.根据权利要求1所述的装置,其中

第一区域和第二区域中的每一个都具有环形形状,

第一区域具有在第二区域的内侧的σ,并且第二区域具有在第一区域的外侧的σ,

作为第二光的波长范围的第二波长范围相对于作为第一光的波长范围的第一波长范围在长波长侧,以及

令R1为第一区域中第二波长范围中的光的强度(I1_λ2)与第一波长范围中的光的强度(I1_λ1)之比((I1_λ2)/(I1_λ1)),且

R2为第二区域中第二波长范围中的光的强度(I2_λ2)与第一波长范围中的光的强度(I2_λ1)之比((I2_λ2)/(I2_λ1)),

则R1小于R2。

7.根据权利要求1所述的装置,其中

第一区域和第二区域中的每一个都具有环形形状,

第一区域具有在第二区域的内侧的σ,并且第二区域具有在第一区域的外侧的σ,

作为第二光的波长范围的第二波长范围相对于作为第一光的波长范围的第一波长范围在长波长侧,以及

令R1为第一区域中第一波长范围中的光的强度(I1_λ1)与第二波长范围中的光的强度(I1_λ2)之比((I1_λ1)/(I1_λ2)),且

R2为第二区域中第一波长范围中的光的强度(I2_λ1)与第二波长范围中的光的强度(I2_λ2)之比((I2_λ1)/(I2_λ2)),

则R1小于R2。

8.根据权利要求1所述的装置,其中

第一区域和第二区域中的每一个都具有环形形状,

第一区域具有在第二区域的内侧的σ,并且第二区域具有在第一区域的外侧的σ,

作为第二光的波长范围的第二波长范围相对于作为第一光的波长范围的第一波长范围在长波长侧,以及

令R1为第一区域中第二波长范围中的光的强度(I1_λ2)与第一波长范围中的光的强度(I1_λ1)之比((I1_λ2)/(I1_λ1)),且

R2为第二区域中第二波长范围中的光的强度(I2_λ2)与第一波长范围中的光的强度(I2_λ1)之比((I2_λ2)/(I2_λ1)),

则R1大于R2。

9.根据权利要求1所述的装置,其中令P为投影图像的周期,NA为投影光学系统的数值孔径,并且λ1为第一光的波长,则第一区域包括具有由下式定义的半径的区域

λ1/(2NA·P)。

10.根据权利要求1所述的装置,其中照明光学系统包括被配置为生成具有不大于350nm的波长的光的光源。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的装置,其中第一区域和第二区域是彼此排斥的区域。

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