[发明专利]制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法

说明书

本发明实施例涉及制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体结构的设备，所述设备包含：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘，其中所述边缘环包括腔体；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及第一致动器，其在所述边缘环的所述腔体中且与所述聚焦环接合。

技术领域

本发明实施例涉及制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用中，例如(举例来说)个人计算机、移动电话、数码相机或其它电子设备。半导体产业通过减小构件的临界尺寸而持续改进各种类型的电子组件(例如，二极管、晶体管、电阻器、电容器等)的集成密度。然而，在开发期间可能出现一些问题。

制造半导体装置通常需要等离子体操作。举例来说，等离子体蚀刻操作、灰化、等离子体辅助沉积是一些广泛使用操作。改进涉及等离子体操作的装置制造的良率是待解决问题中的一者。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的设备，其包括：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘，其中所述边缘环包括腔体；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及第一致动器，其在所述边缘环的所述腔体中且与所述聚焦环接合。

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的设备，其包括：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及压电转换器组件，其与所述聚焦环接合。

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在卡盘上提供晶片，其中所述晶片被聚焦环围绕，所述聚焦环由致动器支撑且在边缘环上方；对所述晶片的表面执行等离子体蚀刻；及通过所述致动器将气体分配板(GDP)与所述聚焦环的顶部表面之间的距离控制为小于阈值。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好理解本发明实施例的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的等离子体操作设备的示意图。

图2是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的晶片支撑件的俯视图的示意图。

图3A是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的晶片支撑件的部分的放大剖面图的示意图。

图3B是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的晶片支撑件的部分的分解图的示意图。

图4A是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的致动器的俯视图的示意图。

图4B是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的致动器的剖面图的示意图。

图4C是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的击穿电压与腔室气压乘以卡盘与致动器之间的距离的乘积之间的关系的图式。

图5A展示表示根据本发明实施例的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图5B展示表示根据本发明实施例的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图5C展示表示根据本发明实施例的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图5D展示表示根据本发明实施例的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图5E展示表示根据本发明实施例的一些实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图6A是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的晶片支撑件的部分及气体分配板的部分的放大剖面图的示意图。

图6B是图解说明根据本发明实施例的一些实施例的晶片支撑件的部分及气体分配板的部分的放大剖面图的示意图。