[发明专利]用于真空断路器的真空断流器有效

专利信息
申请号: 202010411095.1 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN111415836B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 柳在燮 申请(专利权)人: LS产电株式会社
主分类号: H01H33/662 分类号: H01H33/662
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 吴昌教;崔炳哲
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 真空 断路器 断流
【权利要求书】:

1.一种用于真空断路器的真空断流器,其安装在真空断路器中并且构造为阻断负载电流或事故电流的引入,其特征在于,所述真空断流器包括:

上绝缘壳体;

布置在所述上绝缘壳体下方的下绝缘壳体;

固定电极部分,其安装为固定到所述上绝缘壳体的内部;

致动电极部分,其安装在所述下绝缘壳体的内部以面向所述固定电极部分并且与所述固定电极部分接触或分开;以及

中间屏蔽件,其布置在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体之间,以收容所述固定电极部分以及所述致动电极部分,

所述中间屏蔽件使得在电流开断过程中产生的金属蒸汽不沉积在所述上绝缘壳体和所述下绝缘壳体的内壁,

在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体的内部分别设置有第一辅助屏蔽件,

在所述上绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间以及所述下绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间分别形成有第二辅助屏蔽件,

所述第二辅助屏蔽件向外侧突出形成有突出部,

所述突出部形成为一端以圆形或者弯曲形状向内侧弯曲,以防止在所述上绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间以及所述下绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间的结合区域处发生电场集中,由此防止发生局部放电或绝缘击穿,

所述中间屏蔽件的外径等于或大于所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体中的每个的内径,

所述中间屏蔽件的内径等于或小于所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体中的每个的外径。

2.根据权利要求1所述的用于真空断路器的真空断流器,其特征在于,所述突出部和所述第二辅助屏蔽件形成为单个本体或通过焊接相互连接。

3.根据权利要求1所述的用于真空断路器的真空断流器,其特征在于,

所述中间屏蔽件的外径形成为小于所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体中每个的外径。

4.根据权利要求1所述的用于真空断路器的真空断流器,其特征在于,

所述中间屏蔽件布置在与所述上绝缘壳体和所述下绝缘壳体相同的直线上。

5.根据权利要求4所述的用于真空断路器的真空断流器,其特征在于,

所述中间屏蔽件的从与所述上绝缘壳体相对应的部分到与所述下绝缘壳体相对应的部分为直线。

6.根据权利要求1所述的用于真空断路器的真空断流器,其特征在于,

所述第二辅助屏蔽件的一部分位于所述中间屏蔽件的外侧,另一部分位于所述中间屏蔽件的内侧。

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