[发明专利]N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备

权利要求书

1.N型半导体组合物，包括：

富勒烯或富勒烯衍生物；和

由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

Cy为选自C3-C20脂环族烃基团和C6-C20芳族烃基团的环状烃基团、或者两个或更多个环状烃基团的稠合环状基团，

X为至少一个选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C30支化烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、和取代或未取代的C2-C30杂芳基，以及

R¹-R⁸独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C20直链或支化烷基、取代或未取代的C1-C20直链或支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20直链或支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C2-C20直链或支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、或其组合，

条件是R¹-R⁸的至少一个为选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C20支化烷基、取代或未取代的C3-C20支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C20支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、及其组合。

2.如权利要求1所述的N型半导体组合物，其中

在化学式1中，R¹-R³的至少一个和R⁶-R⁸的至少一个相同或不同，以及

R¹-R³的至少一个和R⁶-R⁸的至少一个为选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C20支化烷基、取代或未取代的C3-C20支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C20支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、及其组合。

3.如权利要求2所述的N型半导体组合物，其中在化学式1中，R¹-R³的至少一个大体积取代基和R⁶-R⁸的至少一个大体积取代基相对于通过Cy的轴对称地存在。

4.如权利要求1所述的N型半导体组合物，其中在化学式1中，

R¹和R²的至少一个以及R⁷和R⁸的至少一个相同或不同，并且

为选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C20支化烷基、取代或未取代的C3-C20支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C20支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、及其组合。

5.如权利要求1所述的N型半导体组合物，其中在化学式1中，

R²和R⁷为选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C20支化烷基、取代或未取代的C3-C20支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C20支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、及其组合，以及

R¹、R³、R⁴、R⁵、R⁶、和R⁸为氢、氘、卤素、氰基、C1-C20直链烷基、或其组合。