[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

源极结构；

位线；

层叠结构，该层叠结构位于所述源极结构和所述位线之间；

源极接触结构，该源极接触结构穿过所述层叠结构并且电联接到所述源极结构；以及

保护图案，该保护图案插置在所述源极接触结构和所述源极结构之间并且根据所述保护图案的区域而具有变化的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括与所述层叠结构间隔开的第一源极层、与所述层叠结构相邻的第二源极层以及插置在所述第一源极层和所述第二源极层之间的第三源极层，并且

其中，所述保护图案包括对应于所述第一源极层的第一区域、对应于所述第二源极层的第二区域以及对应于所述第三源极层的第三区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一区域比所述第二区域和所述第三区域中的每一个具有更大的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二区域比所述第一区域和所述第三区域中的每一个具有更大的厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第三区域比所述第一区域和所述第二区域中的每一个具有更大的厚度。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二区域具有朝向所述源极接触结构的凸形形状。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二区域在所述源极结构和所述层叠结构之间的界面处覆盖所述源极接触结构。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一源极层、所述第二源极层和所述第三源极层的掺杂剂浓度彼此不同。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护图案包括绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护图案接触所述源极结构。

11.一种半导体装置，该半导体装置包括：

源极结构，该源极结构包括第一源极层、第二源极层和插置在所述第一源极层和所述第二源极层之间的第三源极层；

位线；

层叠结构，该层叠结构位于所述源极结构和所述位线之间；

源极接触结构，该源极接触结构穿过所述层叠结构并且电联接到所述源极结构；

绝缘间隔件，该绝缘间隔件围绕所述源极接触结构的侧壁；以及

保护图案，该保护图案插置在所述绝缘间隔件和所述源极结构之间，并且在所述第一源极层、所述第二源极层和所述第三源极层之间的界面处覆盖由所述绝缘间隔件围绕的所述源极接触结构。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述保护图案在所述层叠结构和所述源极结构之间的界面处覆盖由所述绝缘间隔件围绕的所述源极接触结构。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述保护图案根据所述保护图案的区域具有变化的厚度。

14.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成包括牺牲层的源极结构；

在所述源极结构上方形成层叠结构；

形成穿过所述层叠结构并且暴露所述牺牲层的狭缝；

通过所述狭缝将所述牺牲层替换为第一源极层；

通过经由所述狭缝选择性地氧化所述源极结构而形成保护图案，所述保护图案根据所述保护图案的区域具有变化的厚度；以及

在所述狭缝中形成源极接触结构。