[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010411201.6 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952358A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 梁正吉;金善昱;朴俊范;金兑映;裵金钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一鳍型图案，其在第一方向上纵向延伸；
第二鳍型图案，其在所述第一方向上纵向延伸并且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍型图案间隔开；
第一栅极图案和第二栅极图案，其与所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案交叉；
第三栅极图案和第四栅极图案，其在所述第一栅极图案和所述第二栅极图案之间且与所述第一鳍型图案交叉；
第五栅极图案，其与所述第二鳍型图案交叉并且在所述第二方向上与所述第三栅极图案间隔开；
第六栅极图案，其与所述第二鳍型图案交叉并且在所述第二方向上与所述第四栅极图案间隔开；
第一至第三半导体图案，其顺序地设置在所述第一鳍型图案上并且分别设置在所述第一栅极图案和所述第三栅极图案之间、所述第三栅极图案和所述第四栅极图案之间以及所述第四栅极图案和所述第二栅极图案之间；以及
第四至第六半导体图案，其顺序地设置在所述第二鳍型图案上并且分别设置在所述第一栅极图案和所述第五栅极图案之间、所述第五栅极图案和所述第六栅极图案之间以及所述第六栅极图案和所述第二栅极图案之间，
其中，所述第一半导体图案至所述第四半导体图案以及所述第六半导体图案电连接到布线结构，以及
所述第五半导体图案没有连接到所述布线结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一半导体图案和所述第四半导体图案在所述第二方向上彼此间隔开并且彼此电连接，以及所述第三半导体图案和所述第六半导体图案在所述第二方向上彼此间隔开并且彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中，所述第四半导体图案电连接到所述第五栅极图案，所述第六半导体图案电连接到所述第六栅极图案。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一至第六栅极图案中的每个环绕设置在所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案上的至少一个或更多个纳米片。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案形成在静态随机存取存储器区域中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
设置在所述第一鳍型图案上的一个或更多个第一纳米片以及设置在所述第二鳍型图案上的一个或更多个第二纳米片，
其中所述第一纳米片用作N型金属氧化物半导体的沟道区，所述第二纳米片用作P型金属氧化物半导体的沟道区。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述第一纳米片在所述第二方向上的宽度与所述第二纳米片在所述第二方向上的宽度基本相同。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述第一纳米片在所述第二方向上的宽度大于所述第二纳米片在所述第二方向上的宽度。
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