[发明专利]半导体封装有效

专利信息
申请号: 202010411462.8 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111952296B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 苏耀群;陈志清;彭逸轩;林仪柔 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/485;H10B80/00
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 白华胜;王蕊
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

至少一个功能晶粒;

不含有有源电路的至少一个虚拟晶粒,其中,所述至少一个虚拟晶粒包括至少一个无源电路组件;以及

重分布层结构,用于将所述至少一个无源电路组件互连到所述至少一个功能晶粒;

其中,所述至少一个无源电路组件包括金属-绝缘体-金属电容器,并且所述至少一个功能晶粒和所述至少一个虚拟晶粒是硅晶粒,其中所述金属-绝缘体-金属电容器设置在所述虚拟晶粒中并通过所述重分布层结构电连接到所述至少一个功能晶粒。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述至少一个功能晶粒和所述至少一个虚拟晶粒并排布置在所述重分布层结构上。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述至少一个功能晶粒和所述至少一个虚拟晶粒被模塑料密封和包围。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述重分布层结构通过多个第一连接组件电连接至封装基板。

5.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,多个第二连接组件设置在所述封装基板的下表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述重分布层结构包括电介质层和扇出布线层,所述扇出布线层将所述至少一个虚拟晶粒与所述至少一个功能晶粒互连。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述金属-绝缘体-金属电容器包括电容器底部金属、电容器顶部金属以及在所述电容器底部金属和所述电容器顶部金属之间的绝缘体层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装,其特征在于,所述金属-绝缘体-金属电容器在所述至少一个虚拟晶粒的堆叠金属互连期间由任何相邻的金属层及其之间的绝缘体层形成。

9.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,所述半导体封装还包括安装在所述封装基板的上表面上的加强环。

10.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,所述半导体封装还包括安装在所述封装基板的上表面上的金属盖,金属盖通过热界面材料与所述至少一个虚拟晶粒和所述至少一个功能晶粒热接触。

11.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,所述半导体封装还包括安装在所述封装基板的上表面上的至少一个晶粒侧电容器。

12.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,所述半导体封装还包括安装在所述封装基板的下表面上的至少一个焊盘侧电容器。

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