[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法在审
申请号: | 202010411795.0 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN112018151A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 柳夏览;金相烈;鲁硕原 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.显示设备,包括:
显示面板,所述显示面板包括:
第一区域,具有第一透射率;以及
第二区域,具有高于所述第一透射率的第二透射率;以及
第一模块,在所述第二区域下方,
其中,所述显示面板包括:
基底层;
电路层,在所述基底层上;
第一像素电极,电连接至所述电路层并且在所述第一区域中;
第二像素电极,电连接至所述电路层并且在所述第二区域中;
第一堆叠结构,在所述电路层上并且邻近所述第一像素电极;以及
第二堆叠结构,在所述电路层上,邻近所述第二像素电极,并且与所述第一堆叠结构不同。
2.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一堆叠结构包括:
第一中间层,在所述电路层上并且暴露所述第一像素电极的至少一部分;以及
第一间隔物,在所述第一中间层上,并且当在平面图中观察时,所述第一间隔物的面积小于所述第一中间层的面积。
3.如权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二堆叠结构包括:
第二中间层,在所述电路层上并且覆盖所述第二像素电极;以及
第二间隔物,在所述第二中间层上,
其中,当在平面图中观察时,所述第二中间层的面积等于所述第二间隔物的面积,以及
其中,所述第一中间层和所述第二中间层包括相同的材料并且在相同的层上。
4.如权利要求2所述的显示设备,
其中,所述第一堆叠结构的第一最大厚度大于所述第二堆叠结构的第二最大厚度,以及
其中,所述第二堆叠结构包括:
第二中间层,在与所述第一中间层相同的层上。
5.如权利要求2所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括第三区域,所述第三区域具有高于所述第二透射率的第三透射率,所述显示设备还包括:
第二模块,在所述第三区域下方,
其中,所述显示面板还包括:电连接至所述电路层并且在所述第三区域中的第三像素电极,以及
其中,所述第一中间层和所述第一间隔物不在所述第三区域中。
6.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一堆叠结构包括m层,所述第二堆叠结构包括n层,并且m大于n。
7.如权利要求1所述的显示设备,
其中,所述显示面板还包括公共电极,所述公共电极包括第一孔和第二孔,以及
其中,所述第一孔和所述第二孔在所述第二区域中。
8.如权利要求7所述的显示设备,
其中,所述第二区域包括提供光的第一子区域和不提供所述光的第二子区域,所述第一孔在所述第一子区域中,并且所述第二孔在所述第二子区域中,以及
其中,所述第二像素电极在所述第二子区域中。
9.用于制造显示设备的方法,所述方法包括:
形成基底层;
在所述基底层上形成电路层;
在所述电路层上形成第一像素电极和第二像素电极;
在邻近所述第一像素电极的区域中形成第一堆叠结构;
在邻近所述第二像素电极的区域中形成与所述第一堆叠结构不同的第二堆叠结构;
形成覆盖所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构的公共电极;以及
通过使用冲压工艺移除所述公共电极的在所述第二堆叠结构上的部分。
10.如权利要求9所述的方法,还包括:
在所述电路层上形成第三像素电极;
在邻近所述第三像素电极的区域中形成具有与所述第一堆叠结构相同的结构的第三堆叠结构;以及
通过使用所述冲压工艺移除所述公共电极的在所述第三堆叠结构上的部分,其中所述公共电极的在所述第二堆叠结构上的所述部分和在所述第三堆叠结构上的所述部分同时被移除,
其中,构成所述第二堆叠结构的层的数量与构成所述第一堆叠结构的层的数量不同,或者
构成所述第一堆叠结构的层的形状与构成所述第二堆叠结构的层的形状不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的