[发明专利]一种减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法

权利要求书

1.一种减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)使用的籽晶衬底由莫桑石晶体切割得到，所述莫桑石晶体衬底片晶面偏离[0001]方向大于30°角，生长面经过化学机械抛光；所述莫桑石晶体衬底片固定在石墨坩埚盖内侧面；

(2)将高纯碳化硅原料放于石墨坩埚内底部，石墨坩埚盖内侧面衬底生长面与碳化硅原料相对，将石墨坩埚盖与石墨坩埚拧紧密封，放入晶体生长炉中进行莫桑石生长；

(3)在莫桑石生长过程中，控制生长温度在2000℃-2500℃，其中衬底温度在2000℃-2100℃，原料区温度在2300℃-2500℃，保持生长压力为1×10^-4Pa-6×10⁴Pa之间，炉内气压通过惰性气体控制；

(4)碳化硅原料在高温下升华为生成硅、硅二碳、硅碳二等气相形态，这些气相组分在温度梯度驱动下于低温区的大偏角单晶衬底上生长成为莫桑石晶体。

2.如权利要求1所述的减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述莫桑石晶体衬底片晶面偏离[0001]方向在30°-90°角之间。

3.如权利要求1所述的减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述莫桑石晶体衬底片厚度为350μm-650μm 。

4.如权利要求1所述的减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述莫桑石晶体衬底片晶型为α型。

5.如权利要求1所述的减少莫桑石中针状包裹体的莫桑石制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述高纯碳化硅原料纯度不低于99.99％。