[发明专利]具有埋置交叉耦接互连的结构及SRAM位单元

权利要求书

1.一种结构，包括：

第一场效应晶体管，包括栅极电极；

第二场效应晶体管，包括第一源/漏区；以及

埋置交叉耦接互连，沿垂直方向设置于该第一场效应晶体管及该第二场效应晶体管下方，该埋置交叉耦接互连与该第一场效应晶体管的该栅极电极耦接，且该埋置交叉耦接互连与该第二场效应晶体管的该第一源/漏区耦接。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该第二场效应晶体管包括沿该垂直方向堆叠于该第一源/漏区上方的第二源/漏区，该第一源/漏区由第一半导体材料组成，且该第二源/漏区由具有与该第一半导体材料相反的导电类型的第二半导体材料组成。

3.如权利要求2所述的结构，其中，该埋置交叉耦接互连还与该第二场效应晶体管的该第二源/漏区耦接。

4.如权利要求3所述的结构，还包括：

介电层，位于该第一场效应晶体管及该第二场效应晶体管上方；以及

位于该介电层中的接触，该接触沿该垂直方向延伸以将该埋置交叉耦接互连与该第二场效应晶体管的该第二源/漏区耦接。

5.如权利要求4所述的结构，其中，该第一源/漏区具有第一侧表面，该第二源/漏区具有第二侧表面，该埋置交叉耦接互连具有第三侧表面，且该接触与该第一侧表面、该第二侧表面、以及该第三侧表面直接耦接。

6.如权利要求2所述的结构，其中，该第二场效应晶体管包括纳米片沟道层，且该纳米片沟道层被该栅极电极的一部分围绕。

7.如权利要求1所述的结构，其中，该第二场效应晶体管包括栅极电极，且还包括：

第一介电层，设置于腔体的第一部分中，

其中，该腔体的该第一部分设置于该第二场效应晶体管的该栅极电极下方。

8.如权利要求7所述的结构，其中，该埋置交叉耦接互连设置于该腔体的第二部分中，该腔体的该第二部分设置于该第一场效应晶体管的该栅极电极下方。

9.如权利要求8所述的结构，还包括：

第二介电层，沿该垂直方向设置于该腔体与衬底之间。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该第一源/漏区具有侧表面，该埋置交叉耦接互连具有侧表面，且还包括：

沿该垂直方向延伸的接触，

其中，该接触与该埋置交叉耦接互连的该侧表面以及该第一源/漏区的该侧表面耦接。

11.如权利要求1所述的结构，其中，该第一场效应晶体管是静态随机访问存储器位单元的第一反相器的组件，且该第二场效应晶体管是该静态随机访问存储器位单元的第二反相器的组件。

12.如权利要求1所述的结构，其中，该第二场效应晶体管包括栅极电极，且还包括：

第三场效应晶体管，包括与该第一场效应晶体管的该栅极电极对齐的栅极电极；

第四场效应晶体管，包括与该第二场效应晶体管的该栅极电极对齐的栅极电极；

第一介电柱，作为第一切口设置于该第一场效应晶体管的该栅极电极与该第三场效应晶体管的该栅极电极之间；以及

第二介电柱，作为第二切口设置于该第二场效应晶体管的该栅极电极与该第四场效应晶体管的该栅极电极之间；

其中，该第一介电柱与该第二介电柱横向对齐。

13.如权利要求1所述的结构，其中，该第一场效应晶体管包括主动沟道，且该埋置交叉耦接互连部分设置于该第一场效应晶体管的该主动沟道下方。

14.如权利要求13所述的结构，其中，该第一场效应晶体管的该主动沟道包括一个或多个纳米片沟道层，且该第一场效应晶体管的该栅极电极经设置以围绕各纳米片沟道层。