[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

圆筒体状的处理容器；

沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和

向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，

在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位置的电极间距离比所述供电位置的电极间距离长。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一对等离子体电极分别具有平板形状，且离所述供电位置较远的位置的厚度比所述供电位置的厚度薄。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一对等离子体电极分别具有平板形状，且以随着离开所述供电位置而彼此隔开距离变大的方式配置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一对等离子体电极在平面观察时为包含长边和短边的矩形，

所述供电位置是所述矩形的短边的侧部。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还具有覆盖沿着所述处理容器的长度方向形成的开口的等离子体隔离壁，

所述一对等离子体电极配置在所述等离子体隔离壁的两侧的壁的外表面。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一对等离子体电极隔着所述等离子体隔离壁而对称地配置。

7.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一对等离子体电极配置在所述处理容器内。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

圆筒体状的处理容器；

沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和

向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，

在所述一对等离子体电极的电极间，至少在所述处理容器的长度方向上的靠近供电位置的位置设置有相对介电常数大于1的电介质。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质的离所述供电位置较远的位置的厚度比所述供电位置的厚度薄。

10.如权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质的离所述供电位置较远的位置的相对介电常数比所述供电位置的相对介电常数低。

11.如权利要求8～10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还具有覆盖沿着所述处理容器的长度方向形成的开口的等离子体隔离壁，

所述一对等离子体电极配置在所述等离子体隔离壁的两侧的壁的外表面，

在所述等离子体电极与所述等离子体隔离壁之间设置有所述电介质。

12.如权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理容器以在长度方向具有间隔的方式收纳多个基片。

13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

圆筒体状的处理容器；

沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和

向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，

在所述一对等离子体电极的电极间，至少在所述处理容器的长度方向上的靠近供电位置的位置处的等离子体电极间的电长度，比离所述供电位置较远的位置处的等离子体电极间的电长度短。