[发明专利]有机发光二极管面板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管面板，包括矩阵排布的多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，其特征在于，每个子像素包括空穴注入层和像素定义层，所述像素定义层包括多个间隔设置的开口区域和空穴阻挡区域，每个开口区域内设置有一个有机发光元件，所述空穴阻挡区域用于隔断或增长相邻子像素的空穴注入层中空穴的传输路径。

2.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述空穴注入层在相邻子像素之间间隔设置；

所述空穴阻挡区域包括一个呈凸起结构的阻挡部，相邻两个所述阻挡部之间形成一个所述开口区域。

3.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述空穴阻挡区域包括两个或两个以上的呈凸起结构的阻挡部，与所述有机发光元件相邻的两个所述阻挡部之间形成一个所述开口区域。

4.根据权利要求3所述的面板，其特征在于，在所述空穴阻挡区域中，相邻两个所述阻挡部之间的间隔大于或等于3微米，每个所述阻挡部的宽度大于或等于3微米，所述空穴阻挡区域的宽度大于或等于14微米。

5.根据权利要求3所述的面板，其特征在于，所述空穴注入层在相邻子像素间间隔设置，或者，所述空穴注入层在相邻子像素间相互连接成一体结构。

6.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述每个子像素还包括像素结构层、平坦层、第一电极、空穴传输层、发光层、第二电极和封装层，其中，

所述平坦层，设置在所述像素结构层上；

所述第一电极，设置在所述平坦层上，通过所述平坦层上开设的过孔与所述像素结构层中的薄膜晶体管连接；

所述像素定义层，设置在所述平坦层上，限定出暴露所述第一电极的开口区域；

所述空穴注入层，设置在所述第一电极上；

所述空穴传输层，设置在所述空穴注入层上；

所述发光层，设置在所述空穴传输层上；

所述第二电极，设置在所述发光层上；

所述封装层，设置在所述第二电极上。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任一所述的有机发光二极管面板。

8.一种有机发光二极管面板的制备方法，其特征在于，包括：

在各个子像素中形成像素定义层，所述像素定义层包括多个间隔设置的开口区域和空穴阻挡区域；

形成空穴注入层，所述空穴阻挡区域用于隔断或增长相邻子像素的空穴注入层中空穴的传输路径。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡区域包括一个呈凸起结构的阻挡部，相邻两个所述阻挡部之间形成一个开口区域；

所述形成空穴注入层，包括：利用精细金属掩膜版，在所述开口区域内形成所述空穴注入层。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡区域包括一个呈凸起结构的阻挡部，相邻两个所述阻挡部之间形成一个开口区域；

所述形成空穴注入层，包括：

在形成所述像素定义层的基底上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光，在所述空穴阻挡区域形成未曝光区域，在所述开口区域形成完全曝光区域，显影去除完全曝光区域的光刻胶；

在形成光刻胶图案的基底上形成空穴注入层，剥离去除所述空穴阻挡区域的光刻胶和空穴注入层。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴阻挡区域包括两个或两个以上的呈凸起结构的阻挡部，与有机发光元件相邻的两个所述阻挡部之间形成一个所述开口区域。