[发明专利]超声波纹路识别组件及制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种超声波纹路识别组件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一侧的接收电极层；

位于所述接收电极层背离所述基底一侧的压电层；

位于所述压电层背离所述基底一侧的种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

位于所述种子层背离所述基底一侧的发射电极层，所述发射电极层包括多个发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述种子层包括多个间隔排布的种子块，所述绝缘层覆盖相邻所述种子块之间的间隙及所述种子块的部分区域，每一所述种子块上形成有至少一个所述发射电极块。

3.根据权利要求2所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，多个所述种子块沿第一方向间隔排布；所述种子块上形成有多个发射电极块，所述种子块上形成的多个发射电极块沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交。

4.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述种子层在所述基底上的正投影覆盖所述基底的全部区域。

5.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分的尺寸满足如下关系式：

式中，d——所述绝缘层位于相邻两个所述发射电极块之间的部分在横向上的尺寸；

——所述发射电极块在横向上的生长速率与在纵向上的生长速率的比值；

x——所述发射电极块在纵向上的尺寸。

6.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为0.1um～1um。

7.根据权利要求1所述的超声波纹路识别组件，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅及树脂中的至少一个。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示模组及权利要求1-7任一项所述的超声波纹路识别组件。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述发射电极层到所述显示模组的距离小于所述接收电极层到所述显示模组的距离；或者，所述发射电极层到所述显示模组的距离大于所述接收电极层到所述显示模组的距离。

10.一种超声波纹路识别组件的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成接收电极层；

在所述接收电极层背离所述基底的一侧形成压电层；

在所述压电层背离所述基底的一侧形成种子层；

在所述种子层背离所述基底的一侧形成绝缘层，所述绝缘层设有多个裸露部，所述裸露部暴露部分所述种子层；

采用电镀工艺形成发射电极层，所述发射电极层包括多个间隔排布的发射电极块，所述发射电极块自所述裸露部暴露的种子层的表面向背离所述种子层的方向延伸。