[发明专利]用于功率模块的热传递

权利要求书

1.一种半导体器件装置，所述半导体器件装置包括：

衬底；

半导体管芯，所述半导体管芯与所述衬底的第一表面耦接；

金属层，所述金属层设置在所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对；

多个金属翅片，所述多个金属翅片与所述金属层耦接；和

金属环，所述金属环与所述金属层耦接，所述金属环包围所述多个金属翅片。

2.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：

所述金属翅片具有正交于所述衬底的所述第二表面的高度；并且

所述金属环具有正交于所述衬底的所述第二表面的厚度，所述高度大于所述厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：

所述衬底的所述第一表面和所述衬底的所述第二表面具有第一宽度和第一长度；

所述金属环具有与所述第一宽度对齐的第二宽度和与所述第一长度对齐的第二长度；并且

所述金属环包括开口，所述开口的周边设置在所述多个金属翅片周围，

所述第二宽度大于所述第一宽度，并且所述第二长度大于所述第一长度，

所述开口具有与所述第一宽度和所述第二宽度对齐的第三宽度以及与所述第一长度和所述第二长度对齐的第三长度，

所述第三宽度小于所述第一宽度并且小于所述第二宽度，并且

所述第三长度小于所述第一长度并且小于所述第二长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件装置，所述半导体器件装置进一步包括：

盖，所述盖与所述金属环耦接，所述盖包括通道，所述多个金属翅片设置在所述通道内；和

密封机构，所述密封机构设置在所述盖和所述金属环之间，

所述盖包括入口开口和经由所述通道与所述入口开口流体连通的出口开口。

5.根据权利要求4所述的半导体器件装置，其中所述密封机构包括设置在以下中的至少一个内的O形圈：

包括在所述盖中的凹槽；或

包括在所述金属环中的凹槽。

6.根据权利要求4所述的半导体器件装置，其中所述盖是第一盖，所述装置进一步包括：

模塑料，所述模塑料封装所述衬底和所述半导体管芯；和

第二盖，所述第二盖与所述模塑料耦接，

所述第一盖经由横向于所述衬底设置的耦接机构耦接到所述第二盖。

7.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：

所述金属层为直接键合铜层；

所述多个金属翅片为多个铜翅片；并且

所述金属环为铜环。

8.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中：

所述半导体管芯是第一半导体管芯，所述装置进一步包括耦接到所述衬底的所述第一表面的一个或多个其他半导体管芯；

所述金属层为第一金属层，所述装置进一步包括设置在所述衬底的所述第一表面上的第二金属层，所述第二金属层设置在所述衬底与所述第一半导体管芯之间，并且设置在所述衬底与所述一个或多个其他半导体管芯之间；并且

所述衬底为包括所述第一金属层和所述第二金属层的直接键合金属衬底。

9.一种半导体器件装置，所述半导体器件装置包括：

第一半导体管芯；

直接键合金属衬底，所述半导体管芯与所述直接键合金属衬底的第一表面耦接；

第一金属层，所述第一金属层设置在所述直接键合金属衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对；

多个金属翅片，所述多个金属翅片被活性金属钎焊到所述金属层；

金属环，所述金属环与所述金属层活性金属钎焊，所述金属环包围所述多个金属翅片；

一个或多个其他半导体管芯，所述一个或多个其他半导体管芯耦接到所述直接键合金属衬底的所述第一表面；和

第二金属层，所述第二金属层设置在所述直接键合金属衬底的所述第一表面上，所述第二金属层设置在所述直接键合金属衬底与所述第一半导体管芯之间，并且设置在所述直接键合金属衬底与所述一个或多个其他半导体管芯之间。