[发明专利]消磁装置及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室为等离子体刻蚀腔室，其特征在于，还包括消磁装置；所述消磁装置用于消除所述反应腔室周围的环境磁场，且包括：

电磁主体，围绕在所述反应腔室周围，用于产生补偿磁场；

磁场传感器，设置在所述电磁主体与所述反应腔室之间，用于检测位于所述反应腔室外侧的所述环境磁场的实时数据；以及

控制模块，用于接收所述磁场传感器发送的所述实时数据，并根据所述实时数据调节所述补偿磁场的大小和方向，以使所述补偿磁场与所述环境磁场的大小相同，且方向相反；

所述电磁主体包括线圈结构，所述线圈结构与所述控制模块连接；

所述控制模块，具体用于根据所述实时数据调节所述线圈结构中的电流大小和方向；所述控制模块包括控制单元和执行单元，其中，

所述控制单元，用于接收所述磁场传感器发送的所述实时数据，并根据所述实时数据计算所述线圈结构中的电流大小的第一调整量和方向的第二调整量，且发送至所述执行单元；

所述执行单元，用于根据所述第一调整量和所述第二调整量对应调节向所述线圈结构输出的电流大小和方向。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述线圈结构为全方位包围所述反应腔室的罩体，且所述罩体的形状与所述反应腔室的轮廓形状相适配。

3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述实时数据包括所述环境磁场在不同方向上的多个分磁场的大小和方向；

所述线圈结构包括多个线圈组，所述线圈组的数量与所述分磁场的数量相同，且一一对应设置，并且各个所述线圈组用于产生子补偿磁场；

所述控制模块，具体用于根据各个所述分磁场的大小和方向，对应地控制各个所述线圈组中的电流大小和方向，以使各个所述子补偿磁场与对应的所述分磁场的大小相同，且方向相反。

4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述实时数据包括所述环境磁场在第一方向、第二方向和第三方向上的三个所述分磁场的大小和方向，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的任意两个方向均互相垂直。

5.根据权利要求4所述的半导体加工设备，其特征在于，所述线圈组为三个，三个所述线圈组共同构成形状为六面体的罩体，其中，每个所述线圈组均构成所述六面体的相对的两个侧面，两个所述侧面与所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的一个方向相互垂直。

6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，每个所述线圈组均包括两个环形线圈，两个所述环形线圈分别构成相对的两个侧面的边框。

7.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述消磁装置还包括信号放大单元，所述信号放大单元分别与所述磁场传感器和所述控制模块连接，用于放大所述磁场传感器发送的电信号，并将其发送至所述控制模块。

8.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述消磁装置还包括导磁屏蔽罩，所述导磁屏蔽罩围绕在所述反应腔室周围，且位于所述电磁主体的内侧，所述导磁屏蔽罩采用导磁材料制成，用于通过感应产生的反磁场对所述环境磁场起到屏蔽作用。