[发明专利]制造显示装置的方法在审
申请号: | 202010412968.0 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN112133724A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 卢宗德;文大承;李光珉;苏熏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/683 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 显示装置 方法 | ||
1.一种制造显示装置的方法,其中,所述方法包括:
将保护膜附着到显示面板上,其中,所述显示面板包括显示区域和焊盘区域,并且所述保护膜包括粘附层和设置在所述粘附层上的保护层;
沿着所述显示区域和所述焊盘区域之间的切割线半切割所述保护膜,其中,切割了所述保护层的总厚度和所述粘附层的部分厚度;
沿着所述切割线的至少一部分用激光束照射所述粘附层的部分切割部分;以及
沿着所述切割线分离所述保护膜的与所述焊盘区域对应的部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述激光束的波长在200nm至300nm的范围内。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述粘附层的被所述激光束照射的第一部分的粘附力小于所述粘附层的未被所述激光束照射的第二部分的粘附力。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述粘附层的被所述激光束照射的第一部分中的碳的浓度小于所述粘附层的未被所述激光束照射的第二部分中的碳的浓度,并且
其中,所述粘附层的所述第一部分中的氧的浓度大于所述粘附层的所述第二部分中的氧的浓度。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述激光束在沿着所述切割线的长度方向移动的同时沿着所述切割线的宽度方向摆动。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述激光束的摆动幅度大于所述切割线的宽度。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述显示面板包括:
基板;
显示单元,设置在所述显示区域中的所述基板上;以及
封装层,覆盖所述显示单元,
其中,所述切割线与所述封装层交叠。
8.一种制造显示装置的方法,其中,所述方法包括:
将保护膜附着到包括多个显示面板的母面板上,每个所述显示面板包括显示区域和焊盘区域,其中,所述保护膜包括粘附层和设置在所述粘附层上的保护层;
沿着每个所述显示面板的所述显示区域和所述焊盘区域之间的多条切割线半切割所述保护膜,其中,切割了所述保护层的总厚度和所述粘附层的部分厚度;
沿着每条所述切割线的至少一部分用激光束照射所述粘附层的部分切割部分;以及
沿着所述切割线分离所述保护膜的分别与所述多个显示面板的每个焊盘区域对应的部分。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述切割线分别围绕所述多个显示面板的每个显示区域,
其中,每条所述切割线在平面图中具有矩形形状,并且
其中,所述激光束照射每条所述切割线的至少一条边。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述保护膜的分别与所述显示面板的所述焊盘区域对应的所述部分被同时分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的