[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物在审

专利信息
申请号: 202010413700.9 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111948903A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 郡大佑;中原贵佳;泽村昂志;佐藤裕典;山本靖之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/11;G03F7/09;C08G61/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 形成 组成 图案 方法 以及 聚合物
【权利要求书】:

1.一种有机膜形成用组成物,其特征为含有具下列通式(1A)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂;

该通式(1A)中,Ar1、Ar2为也可以有取代基的苯环或萘环,X为单键或亚甲基,L为下列中的任一者;

上式中的破折线表示价键,R为氢原子或碳数1~20的1价有机基团。

2.一种有机膜形成用组成物,其特征为含有具下列通式(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂;

该通式(1B)中,W1为羟基、碳数1~10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团,Ar1、Ar2为也可有取代基的苯环或萘环,X为单键或亚甲基,L为下列中的任一者;

上式中的破折线表示价键,R为氢原子或碳数1~20的1价有机基团。

3.根据权利要求1所述的有机膜形成用组成物,其中,该聚合物更具有下列通式(1B)表示的部分结构;

该通式(1B)中,W1为羟基、碳数1~10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团。

4.根据权利要求1或3所述的有机膜形成用组成物,其中,该聚合物更具有下列通式(1C)表示的部分结构;

该通式(1C)中,W2表示氢原子或碳数1~50的1价有机基团,Ar1、Ar2同前所述。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用组成物,其中,该聚合物的重均分子量为500~5000。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用组成物,其中,该有机溶剂是1种以上的沸点未达180℃的有机溶剂与1种以上的沸点180℃以上的有机溶剂的混合物。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用组成物,其中,该有机膜形成用组成物更含有表面活性剂及塑化剂中的1种以上。

8.一种图案形成方法,其特征为包括下列步骤:

在被加工体上使用根据权利要求1至7中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜;

在该有机膜之上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料而形成含硅的抗蚀剂下层膜;

在该含硅的抗蚀剂下层膜之上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜;

在该抗蚀剂上层膜形成电路图案;

将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜,利用蚀刻将图案转印在该含硅的抗蚀剂下层膜;

将该已转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜,利用蚀刻将图案转印在该有机膜;

将该已转印图案的有机膜作为掩膜,利用蚀刻于该被加工体形成图案。

9.一种图案形成方法,其特征为包括下列步骤:

于被加工体上使用根据权利要求1至7中任一项所述的有机膜形成用组成物而形成有机膜;

于该有机膜之上使用含硅的抗蚀剂下层膜材料而形成含硅的抗蚀剂下层膜;

于该含硅的抗蚀剂下层膜之上形成有机抗反射膜(BARC);

于该BARC上使用光致抗蚀剂组成物而形成抗蚀剂上层膜;

于该抗蚀剂上层膜形成电路图案;

将该已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜,按顺序利用蚀刻将图案转印在该BARC及该含硅的抗蚀剂下层膜;

将该已转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩膜,利用蚀刻将图案转印在该有机膜;

将该已转印图案的有机膜作为掩膜,蚀刻该被加工体而于该被加工体形成图案。

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