[发明专利]大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种大发光角度倒装Mini‑LED芯片，其包括：倒装LED芯片本体，其包括衬底和设于衬底正面的发光结构；和折射层，其设于所述衬底的背面；所述折射层由多个棱台和/或锥台组成，所述棱台/锥台的底面与所述衬底连接；发光结构所发出的光线从所述棱台/锥台的侧面和/或顶面射出，以提升倒装Mini‑LED芯片的发光角度。相应的，本发明还公开了上述大发光角度倒装Mini‑LED芯片的制备方法。实施发明，可有效提升Mini‑LED的发光角度，使得Mini‑LED可应用于大规格的屏幕。

技术领域

本发明涉及光电子制造技术领域，尤其涉及大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法。

背景技术

Mini LED是指大小为50～200μm的LED，又称为次毫米发光二极管。Mini LED是近年来LED技术发展的主力，其被广泛地应用到背光、VR屏幕、手机显示屏小型显示屏等领域。然而，由于其发光角小，使得其难以应用在较大规格的屏幕上。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种大发光角度倒装Mini-LED芯片，其发光角度大，可应用于大型屏幕。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种上述大发光角度倒装Mini-LED芯片的制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种大发光角度倒装Mini-LED芯片，其包括：

倒装LED芯片本体，其包括衬底和设于衬底正面的发光结构；和

折射层，其设于所述衬底的背面；

所述折射层由多个棱台和/或锥台组成，所述棱台/锥台的底面与所述衬底连接；所述发光结构所发出的光线从所述棱台/锥台的侧面和/或顶面射出，以提升倒装Mini-LED芯片的发光角度。

作为上述技术方案的改进，还包括：

遮挡层，所述遮挡层设于所述棱台和/或锥台的顶面。

作为上述技术方案的改进，所述棱台为三棱台、四棱台、六棱台或八棱台。

作为上述技术方案的改进，所述棱台的底面的宽度为3～10μm，高度为0.5～2μm；

所述锥台底面的直径为3～10μm，高度为0.5～2μm；

所述棱台和/或所述锥台间距均匀地分布在所述衬底上，相邻棱台和/或相邻锥台和/或相邻棱台和锥台之间的距离为0.5～2μm。

作为上述技术方案的改进，所述遮挡层包括第一遮挡层和第二遮挡层；所述第二遮挡层设于所述第一遮挡层上方；

所述第一遮挡层为SiO₂层和/或SiN_x层；

所述第二遮挡层为Al层、Ag层、DBR层中的一种或多种；

所述第一遮挡层的厚度为80～300nm；

所述第二遮挡层的厚度为100～500nm。

作为上述技术方案的改进，所述倒装LED芯片本体包括：

衬底；

设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的透明导电层；

设于所述透明导电层上的复合反射层；

第一电极，其通过设于所述外延层并贯穿至第一半导体层的第一孔洞与所述第一半导体层连接；

第二电极，其通过设于贯穿所述复合反射层的第二孔洞与所述透明导电层连接；