[发明专利]一种等离子体处理装置及其导磁组件与方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔，其包括反应腔侧壁；

介电窗，位于所述反应腔侧壁上；

线圈，位于所述介电窗上；

导电部件，位于所述介电窗上；

导磁件，位于所述介电窗上，且设置在至少部分所述导电部件的周围。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导电部件包括刻蚀监测设备和/或气体输送管路，所述刻蚀监测设备用于监测反应腔内的刻蚀情况，所述气体输送管路用于向反应腔内输送反应气体。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

当所述导电部件包括刻蚀监测设备和气体输送管路时，在所述刻蚀检测设备与气体输送管路之间设置所述导磁件。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

当所述导电部件包括刻蚀监测设备和气体输送管路时，分别设置不同的导磁件在所述刻蚀检测设备和气体输送管路的周围。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件包围至少部分所述导电组件。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件为一个完整的环形，所述环形的导磁件环绕设置所述导电部件周围，或者所述环形的导磁件套设在所述导电部件外侧。

7.如权利要求1或5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件的个数为至少一个，且所述至少一个导磁件环绕设置在所述导电部件周围或者所述至少一个导磁件套设在所述导电部件外侧。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件的形状包括：半圆环、块状、E字形或者U字形。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件与导电部件接触。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件的材料为高磁导率材料，所述高磁导率材料的磁导率大于空气的磁导率。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导磁件的材料包括：铁氧体、铁、镍、钴中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还包括：基座，设于所述反应腔内底部，所述基座用于承载晶圆；

所述晶圆的刻蚀效率与导磁件的磁导率呈正相关关系；

所述晶圆的刻蚀效率与导磁件的体积呈正相关关系；

所述导磁件与导电部件之间的距离设置在一定范围时，所述晶圆的刻蚀效率与导磁件到导电部件之间的距离大小呈负相关关系。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还包括：射频功率源，与所述线圈电连接。

14.一种用于等离子体处理装置的导磁组件，所述等离子体处理装置包括反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁上方设置介电窗，所述介电窗上设置线圈，其特征在于，所述导磁组件包括：

导电部件，位于所述介电窗上；

导磁件，位于所述介电窗上，且设置在至少部分所述导电部件的周围。

15.如权利要求14所述的导磁组件，其特征在于，

所述导电部件包括刻蚀监测设备和/或气体输送管路，所述刻蚀监测设备用于监测反应腔内的刻蚀情况，所述气体输送管路用于向反应腔内输送反应气体。