[发明专利]一种减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法

权利要求书

1.一种减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，所述方法包括：

（1）在成像物体的周围摆放若干个参照水膜，并通过磁共振兼容的温度光纤对若干个参照水膜实时测温；

（2）通过采集加热前和加热中的磁共振相位图，计算每个参照水膜测温点的相位差，以及每个参照水膜测温点的实际温度变化，计算出每个参照水膜测温点的主磁场偏差；

（3）根据参照水膜测温点的实时主磁场偏差，估计主磁场偏差的整体平面分布；

（4）根据步骤（3）得到的主磁场偏差的整体平面分布对磁共振成像的每一个像素点根据相位图直接计算的温度进行矫正，并计算每个像素点的实际温度；

在步骤（4）中，对温度进行矫正的方法为：，其中为该像素点的加热前温度；

计算每个像素点的实际温度的方法为：。

2.根据权利要求1所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述参照水膜内为添加钆造影剂的水溶液。

3.根据权利要求1所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（1）中，在成像物体的左下、左上、右下、右上四个方位摆放四个参照水膜。

4.根据权利要求3所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述四个参照水膜的位置相互垂直，相互之间的距离不小于成像物体的1/2。

5.根据权利要求1所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（2）中，在计算每个参照水膜测温点的相位差中，每个参照水膜测温点的磁共振相位信息，取和测温光纤最邻近的一个或多个像素点。

6.根据权利要求1所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（2）中，通过公式，计算出每个参照水膜测温点的主磁场偏差；其中，表示氢质子的旋磁比，表示静磁场强度，表示回波时间，表示氢质子温度频率系数。

7.根据权利要求1所述的减少实时磁共振温度成像中系统温度误差的方法，其特征在于，在步骤（3）中，假设主磁场偏差空间分布为线性，利用公式对四个测温点值进行最小二乘法拟合，得出拟合参数，，，从而估计出主磁场偏差的整体平面分布。