[发明专利]一种25G抗反射激光器的制备工艺

权利要求书

1.一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在InP基板上依次沉积有源区层（11）和衍射光栅层（13），在衍射光栅层（13）表面沉积一层掩模层（14），然后采用光刻技术刻蚀掩模层（14）将需要刻蚀的区域露出，然后再采用干刻技术刻蚀出端面刻蚀区（15）；端面刻蚀区（15）底部距离有源区的下端面为0.3um~1.5um；

步骤2：在端面刻蚀区（15）沉积一层 In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料作为光波导层（20），然后再生长InP覆盖层（21），整个光波导层（20）和InP覆盖层（21）作为抗反射层；光波导层（20）的厚度为300nm~500nm，且光波导层（20）和InP覆盖层（21）的厚度之和与端面刻蚀区（15）深度相同；

步骤3：在衍射光栅层（13）与抗反射层上方依次沉积第二包层（30）与接触层（31），第二包层（30）的材料为p-InP，接触层（31）的材料为InGaAs；

步骤4：首先使用PECVD技术在步骤3得到的产品上形成一层SiO₂作为绝缘层，在绝缘层上形成脊波导图案，然后通过刻蚀形成脊波导结构，之后再去除脊波导上表面的SiO₂，露出接触层（31），在接触层（31）与绝缘层上方形成p-金属电极层（40）；之后将InP基板（10）背面减薄抛光，镀上n-金属电极层（41）；切割后在有抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层（43），另一端镀上高反射镀膜层（42），得到抗反射的激光器芯片；

所述步骤2中，采用金属有机气相沉积在端面刻蚀区（15）沉积 In_1-xGa_xAs_yP_1-y，0.05≤x≤0.5，0.1≤y≤0.9；

所述步骤2中，沉积光波导层（20）和InP覆盖层（21）时的环境温度为600℃~625℃。

2.根据权利要求1所述的一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，所述步骤1中，干刻采用电感耦合等离子体设备，刻蚀气源为Cl₂，H₂和Ar，流量为分别为7sccm，40sccm和20sccm。

3.根据权利要求1所述的一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，所述步骤1中，掩模层的材料为Si₃N₄或SiO₂。

4.根据权利要求1所述的一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，所述步骤1中，在InP基板上采用金属有机气相沉积的方法沉积有源区层（11）和衍射光栅层（13）。

5.根据权利要求1所述的一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，所述步骤1中，在衍射光栅层（13）表面用等离子体增强型化学气相沉积的方法沉积一层掩模层（14）。

6.根据权利要求1所述的一种25G抗反射激光器的制备工艺，其特征在于，所述步骤2中，长晶所需材料为砷烷，磷烷，三甲基铟和三甲基镓，其中，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素摩尔比为，其中：Ⅴ族与Ⅲ族元素单位为mol/min。